Задание к практическому занятию №4

В соответствии с исходными данным необходимо выполнить следующие расчеты.

4.1 Произвести расчет каскада по схеме рис. 4.1.

4.2 Произвести расчет времени включения и выключения транзистора каскада по схеме рис. 4.1. (для простоты принять постоянные времени равными времени рассасывания из исходных данных)

4.3 Сравнить полученные результаты, сделать выводы.

4.4 Нарисовать временные диаграммы работы ключа (см. рис. 4.2.), используя в качестве исходных данных значения, полученные при выполнении п. 4.2.

 

5. Выбор варианта задания для практического занятия №4

Студенты принимают начальные данные для расчета согласно номеру варианта, полученного от преподавателя на первом практическом занятии. Исходные данные приведены в приложении к пособию (см. табл. Приложение 2), дополнительные данные по транзистору выбираются из справочной литературы.

 

Список литературы.

 

1. Гусев, В. Г. Электроника/ В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев/ – М.: Высшая школа, 2004 г. - 622 с.

2. Степаненко, И. Г.; Основы теории транзисторов и транзисторных схем/ И. Г. Степаненко. - М.: Энергия, 1977. - 616 с.

3. Хоровиц, П. Искусство схемотехники: В 2-х томах. Пер. с англ./ П. Хоровиц, У. Хил. - М.: Мир, 1983. - :Т1. 598 с.

4. Титце, У. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер.с нем./ У. Титце, К. Шенк. - М.: Мир, 1982. - 512 с.

5. Кауфман, М. Практическое руководство по расчетам схем в электронике./ Изд-е 2-е. Справочник. Т.1/ М. Кауфман, А. Г. Сидман. – М.: Мир, 2000.
ПРИЛОЖЕНИЕ 1

 

Значения энергии ионизации (активации) примеси различного типа

 

Полупроводник электронного типа

  Донорная примесь Энергия ионизации примеси DWd (эВ)
Материал
Германий (Ge) Кремний (Si)
Фосфор (Р) 0,012 0,044
Мышьяк (As) 0,013 0,049
Сурьма (Sb) 0,0096 0,039

 

Полупроводник дырочного типа

Акцепторная примесь Энергия ионизации примеси DWa (эВ)
Материал
Германий (Ge) Кремний (Si)
Бор (Р) 0,0104 0,045
Алюминий (Al) 0,0102 0,057
Галлий (Ga) 0,0108 0,065
Индий (In) 0,0112 0,16

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Исходные данные

 

Вариант Транзистор h21э Pвых мВт Епит В Uвх В К ус n tрас нС
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 306 Б 40-120 1,5
КТ 306 Б 40-120
КТ 316 А 20-60 1,5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1,5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1,5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1,5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1,5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1.5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1.5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1.5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1.5
КТ 316 А 20-60
КТ 316 А 20-60 1.5
КТ 316 А 20-60
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300

 

КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300
КТ 644 Б 100-300 1.5
КТ 644 Б 100-300