Список сокращений

 

0Д, 1Д, 2Д – размерность структуры (0, 1, 2)

АЭУ – акустоэлектронные устройства

Б-Э – Бозе-Эйнштейна (функция распределения)

ВАХ – вольт-амперная характеристика

ВТСП – высокотемпературная сверхпроводимость

ВФХ – вольт-фарадная характеристика

ГКЦ – гранецентрированная кубическая ячейка

гр. – греческий

ГЦ (БЦ, ОЦ) – гранецентрированная (базоцентрированная, объемноцентрированная) ячейка кристалла

ЖК – жидкие кристаллы

ИМС (ИС) – интегральная микросхема

ИППЛ – инжекционный полупроводниковый лазер

КМОП – комплементарная МОП-структура

КНС – кремний на сапфире

КП – квантовый проводник

КТ – квантовая точка

КЯ – квантовая яма

лат. – латинский

М-Б – Максвелла-Больцмана (функция распределения)

МДМ – металл-диэлектрик-металл (структура)

МДП – металл-диэлектрик-полупроводник (структура)

МДС – металл-диэлектрик-сверхпроводник (структура)

МОП – металл-окисел-полупроводник (структура)

МЭА – микроэлектронная аппаратура

МЭУ – магнитоэлектронные устройства

НТ – нанотехнологии

НТСП – низкотемпературная сверхпроводимость

НЭ – наноэлектроника

ОПЗ – область пространственного заряда

ОЭУ – оптоэлектронные устройства

ПДП – полупроводник-диэлектрик-полупроводник (структура)

ПЗС – прибор с зарядовой связью

РЭС – радиоэлектронные средства

СДС – сверхпроводник-диэлектрик-сверхпроводник (структура)

СИД – светоизлучающий диод

СП – сверхпроводимость

СР – сверхрешетка

ТКЛР – температурный коэффициент линейного расширения

ТКС – температурный коэффициент сопротивления

ТОПЗ – токи, ограниченные пространственным зарядом

Ф-Д – Ферми-Дирака (функция распределения)

ФЭ –функциональная электроника

ЭВС – электронно-вычислительные средства

ЭДС – электродвижущая сила

p-i-n – дырочный-собственный-электронный переход (полупроводниковая структура)

p-n – дырочный-электронный переход (полупроводниковая структура)