БЛОКИНГ- ГЕГНЕРАТОР.

Блокинг- генератор (блокинг-генератор) в отличие от мультивибратора позволяет получить мощные импульсы, весьма малой длительности (несколько десятков долей микросекунд) и сочень крутым фронтом (сотые доли микросекунд). Кроме того, он позволяет осуществить трансформаторную связь с нагрузкой, что во многих случаях бывает необходимо. Блокинг-генератор может работать как в режиме автоколебаний, так и в ждущем режиме.


Рисунок. Блокинг-генератор, работающий в автоколебательном режиме.

 

При подаче напряжения на блокинг-генератор появляется незначительный коллекторный ток, который протекает через обмотку W1, создает магнитный поток, пересекающий обмотки W2 и W3. В обмотке W3 наводится ЭДС, плюс которой приложен к эмиттеру, а минус через конденсатор С к базе транзистора VT. Обмотка W3 в данном случае является источником питания эмиттерно- базовой цепи, под действием которого транзистор VT открывается и коллекторный ток лавинообразно нарастает. Так же лавинообразно, но с крутым передним фронтом происходит нарастание выходного напряжения Uвых в обмотке W2 и на резисторе нагрузки Rнагр. Когда транзистор открыт полностью (режим насыщения), напряжение на его коллекторе становится равным 0, и ток в первичной обмотке протекает не изменяясь, в это время происходит формирование выходного импульса. В следствии отсутствия изменения тока в обмотке W1 транзистор теряет свои усилительные свойства и нарушается обратная связь коллектора с базой через обмотку W3 (в режиме насыщения установившийся ток не наводит ЭДС в обмотках W2 и W3). На этом этапе происходит рассасывание накопленных в базе неосновных носителей электричества, которые образуют сравнительно большой базовый ток, обеспечивающий окончательный заряд конденсатора. Через небольшой отрезок времени процесс рассасывания носителей электричества в базе заканчивается, напряжение на конденсаторе С возрастает до величины, при который начинается его разряд через резистор Rсм и обмотку W3, вызывающий запирание транзистора VT. С этого момента ток в коллекторной цепи уменьшается, в следствии чего в обмотке W3 наводится ЭДС (восстанавливается обратная связь) положительный полюс которой через конденсатор С приложен к базе, а отрицательный- к эмиттеру транзистора, т.е. в обратном направлении. Происходит формированное запирание транзистора, при котором ток коллектора изменяется от установившегося значения до нуля, вызывая резкое уменьшение выходного напряжения. Так формируется срез выходного импульса.

Длительность импульса Ти определяется временем, в течении которого транзистор находится в открытом состоянии. Оно зависит от индуктивности обмотки обратной связи, емкости конденсатора С и величины нагрузочного сопротивления Rнагр. После закрытия транзистора образуется пауза между импульсами. При этом образуется отрицательный импульс выходного напряжения в результате выброса коллекторного напряжения, вызываемого рассеиванием энергии, накопленной в трансформаторе. Длительность паузы Тп определяется временем, в течении которого происходит разряд конденсатора до напряжения, равного нулю. После этого начинается формирование нового импульса.