Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом
1. Стока-затворные (или передаточные) (рисунок 1.42 б):
Ic = f (Uз-и) / Uc-и = const.
2. Стоковые (или выходные) (рисунок 1.42 а):
Ic = f (Uc-и) / Uз-и = const.
Выходная характеристика показывает, что с увеличением Ucи ток стока Ic начала растет довольно быстро, а затем это нарастание замедляется, т. е. наступает насыщение. Именно в этой области насыщения, на пологих участках и происходит работа транзистора.
Рисунок 1.41 – характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом |
При подаче большего отрицательного Uз-и ток стока Ic уменьшается и характеристика проходит ниже.
Дальнейшее повышение Ucи приводит к электрическому пробою p-n-перехода и Ic начинает лавинно возрастать.
Параметры.
1. Крутизна S = |Uси = const характеризует управление действия затвора. Например, S = 3 мA / B означает, что изменение Uз-и на 1В создает изменение тока стока на 3 мA.
2. Внутренне (выходное) сопротивление Ri = |Uç−è , т. е. это сопротивление транзистора между стоком и истоком.
3. Коэффициент усиления M = − |Ic = const, показывает, во сколько раз сильнее на Ic действует изменение Uзи, по сравнению с Ucи. Т. е. выражается отношением таких изменений напряжений, которые компенсируют друг друга по действию на Ic. Для такой компенсации напряжения должны иметь разные знаки, отсюда знак минус.
M = S · Ri и имеет значения от сотни до тысячи на пологом участке.
4. Входные сопротивления Râõ = |Uси = const. Т. к. Iз является обратным током p-n-перехода, значит он очень мал и Rвх ≈ ед. – дес. МОм
5. Межэлектродные емкости:
- Сзи – входная емкость – это барьерная емкость p-n-перехода.
- Сзс – проходная емкость между З и С.
- Сcи – выходная емкость.