Жидкостная эпитаксия.

Метод эпитаксии из жидкой фазы основан на наращивании монокристаллического слоя полупроводника из расплава или раствора - расплава, насыщенного полупроводниковым материалом. Полупроводник эпитаксиально кристаллизуется на поверхности подложки, погружаемой в расплав, при его охлаждении. Схема метода показана на Рис. 4.

На рисунке обозначено: 1, 2, 3, 4 – различные растворы, 5 – скользящий графитовый держатель растворов, 6 – подложка, 7 – основной графитовый держатель, 8 – толкатель, 9 – электрическая печь, 10 – кварцевая труба, 11 - термопара.

Рис. 4. Схема эпитаксии полупроводников из жидкой фазы.

 

В методе эпитаксии из жидкой фазы полупроводниковую подложку погружают в расплав, насыщенный полупроводниковым материалом, а сам расплав начинают медленно охлаждать. При охлаждении расплава происходит его пересыщение, в результате чего на подложку осаждается слой полупроводникового материала. В качестве растворителя при приготовлении раствора - расплава обычно используют алюминий или галлий.

Метод жидкофазной эпитаксии для осаждения слоев полупроводниковых соединений типа A^IIIB^V является в ряде случаев наиболее эффективным. Его используют, например, при получении структур светоизлучающих приборов на основе фосфида галлия, легированных азотом, что позволяет достигнуть более высокой эффективности люминесценции по сравнению со структурами, полученными газофазными методами.