Вакуумная и плазменная электроника 10 страница
Второй фактор связан с распылением материала покрытия. При использовании тонкопленочных покрытий необходимо знать условия, при которых может происходить удаление поверхностного слоя за счет распыления, вызывающее сдвиг напряжения, если нижний слой имеет существенно отличающееся значение γ. Во-первых, следует рассмотреть сам газ. Типичным газом является неон с очень малой в процентном отношении добавкой аргона или ксенона. При возбуждении газа генерируются примерно одинаковые количества Ne+ и неосновных ионов, и считают, что в большом количестве имеется также Ne2+. Кинетическую энергию соударяющихся ионов можно рассчитать по формуле:
Кинетическая энергия (6.2)
где m — масса иона;
К0 —приведенная подвижность при давлении 10-5 Па и 273 К;
Е — величина поля.
Значения этих параметров при малых полях приведены в табл.6.2. Эти значения не следует экстраполировать в область больших полей (больших отношений поля к давлению); они просто дают возможность оцепить влияние состава газа. Из этих значений представляется вероятным, что ионы молекулярного неона и неосновные ионы за счет своей кинетической энергии дают основной вклад в повреждение поверхности.
Таблица 6.2 – Параметры ионов в малых полях.
Основной газ | Ион | Масса иона, m | Приведенная подвижность, К0 | mК02 |
Неон | Ne+ | 4,2 | 352,8 | |
A+, Ne2+ | 7,8 | 2433,6 | ||
Хе+ | 6,5 | 5534,75 |
Значения m0K02, приведенные в табл.4, показывают, что, по-видимому, основной вклад в распыление дают неосновные ионы с высокой подвижностью.
Уравнение для расчета подвижности при различных давлениях р и температурах Т имеет вид:
(6.3)
из которого следует, что более сильное распыление можно ожидать при низких давлениях. Оценка и измерение средних значений кинетической энергии Ne+ ионов с учетом эффектов искажения поля пространственного заряда дают величину в интервале от 1 до 2эВ. Это означает, что в обычных приборах имеются неосновные ионы с большой средней энергией (>10 эВ); энергия Хе+ иона больше, чем А+ иона, прежде всего за счет большей массы.
Для сохранения постоянного рабочего напряжения поверхность материала защитного покрытия должна оставаться стабильной при возбуждении газа и, следовательно, должна быть устойчивой к распылению. Параметром материала покрытия, необходимым для расчета порога распыления, является тепло возгонки Н. Энергия порога распыления оценивается соотношением вида:
(6.4)
где (3.5)
Н —энергия возгонки;
m —масса поверхностных атомов;
М —масса падающих ионов.
Значения порогов распыления для некоторых материалов покрытий приведены в табл.2.
Этот анализ предполагает, что чем больше тепло возгонки и, следовательно, больше сила химической связи в материале, тем ниже степень распыления.
Герметики и прокладки
По окончании процесса изготовления плат, как показано на схеме технологического процесса (рис.6.2), две готовые платы — передняя и задняя — собираются в панель. Передняя и задняя платы всегда отличаются друг от друга хотя бы наличием высверленного в задней плате отверстия для трубки, через которую производится заполнение панели газовой смесью.
Прокладки обычно прикрепляются к передней плате, поскольку при сборке она располагается снизу, а задняя плата — сверху, чтобы на нее можно было поместить трубку для заполнения газом. Прокладки, задающие величину зазора камеры панели, либо помещаются на свои места одновременно с герметизирующим материалом по периметру панели, либо, если прокладки расположены в активной области панели, до нанесения материала покрытия. Прокладки из диэлектриков или металлов могут иметь форму стержня, шарика и т. д. Технология изготовления прокладок очень важна, поскольку рабочее напряжение и рабочий диапазон ячейки зависят от межэлектродного зазора (при данном давлении) и от расстояния до прокладки.
Герметик наносится по периметру панели в виде пасты или кладется в виде отдельных кусочков материала. Трубка для заполнения газом припаивается к плате с помощью того же герметика или аналогичного материала. Заварка стеклянных герметиков производится в высокотемпературных печах. Затем панель просушивается для удаления загрязнений, заполняется до необходимого давления соответствующей газовой смесью, и, наконец, производится запайка газовой трубки. Герметик по периметру панели должен иметь как можно меньшие течи для обеспечения приемлемого срока службы в силу довольно большого отношения площади герметика к объему газа (по сравнению с катодно-лучевой трубкой).
Контрольные вопросы
1. Какие требования предъявляются к толстопленочным проводникам ?
2. Почему в ионоплазменных дисплеях применяются проводники с прорезями ?
3. От чего зависит рабочее напряжение и стабильность работы панели ?
4. От каких параметров зависит приведенное поле ?
5. От каких факторов зависит стабильность ячейки ?
6. Каким параметром оцениваются материал материал защитного покрытия ?
7. Как формируется зазор панели ?
Приложение
Примеры задач по темам курса
Задача 1. Вывод выражения для числа Лошмидта. Расчет числа молекул газа в электровакуумном приборе [8]
Используя уравнение состояния идеального газа, покажите, что число Лошмидта определяется выражением:
где р— давление (мм рт. ст.), а Т — абсолютная температура (К)
Пусть расстояние между анодом и катодом в электронной лампе 2,5 мм, объем межэлектродного пространства 10-5 м3, а рабочее давление равно 5·10-7 мм рт. ст. при температуре 300 К. Исходя из этих данных, рассчитайте число молекул газа в этом объеме. Отношение массы протона к массе электрона составляет mp/me = 1836, а атомный вес водорода равен 1,008.
Решение
Уравнение состояния идеального газа имеет вид pV = nRT, где р —давление (Н/м2), n — число киломолей газа, V — объем, занимаемый газом (м3), R =8,317·103 Дж/кмоль·К — универсальная газовая постоянная.
Число молекул в киломоле газа есть универсальная постоянная, называемая числом. Авогадро NA. Ее можно вычислить следующим образом. Известно, что
Масса протона = 1836·9,11·10-31 кг ≈ Масса атома водорода (атомный вес 1,008),
т.е. масса молекулы некоторого газа с молекулярным весом М равна:
Следовательно, число молекул в одном киломоле газа:
Число Лошмидта — это число молекул в 1 м3 газа при нормальных температуре и давлении, а именно при Т = 273 К и р = 760 мм рт. ст. (или 1,013·105 Н/м2).
Из уравнения состояния идеального газа:
следует, что объем одного киломоля равен:
Поэтому число молекул в единице объема равно:
или, если р измеряется в мм рт. ст.,
Таким образом, число молекул газа в межэлектродном пространстве объемом 10-5 м3 при температуре 300 К и давлении 5·10-7 мм рт, ст. равно:
Задача 2. Средняя длина свободного пробега молекул и электронов
Объясните смысл понятия «средняя длина свободного пробега», иллюстрируя ваш ответ примерами движения как молекул, так и электронов.
Вычислите среднюю длину свободного пробега молекулы неона (диаметр молекулы неона 3·10-10 м), а также среднюю длину свободного пробега электронов в этом, газе, предполагая, что неон — единственный газ, который присутствует в электронной лампе, рассмотренной в предыдущей задаче.
Решение
Средняя длина свободного пробега является важным понятием при рассмотрении проблемы электропроводности в газах. В общем виде ее можно определить как среднее расстояние, которое проходит частица в газе между последовательными соударениями.
Существуют два специфических понятия средней длины свободного пробега в газе, состоящем из одинаковых молекул: 1) длина свободного пробега молекул и 2) длина свободного пробега электронов.
Рассмотрим первый случай — длину свободного пробега молекул. Предположим, что в газе беспорядочно движется только одна молекула, остальные молекулы неподвижны. Эта молекула перемещается вдоль цилиндра диаметром d (диаметр молекулы). При этом она будет соударяться с теми покоящимися молекулами, которые расположены внутри цилиндра, т. е. с теми молекулами, центры которых удалены от центра движущейся молекулы на расстояние не менее чем 2d.
Пусть υ — средняя скорость молекул при температуре Т(К). Тогда за время dt молекула пройдет расстояние . Объем цилиндра, в котором движется молекула и происходят столкновения, равен .
Следовательно, число столкновений определяется выражением:
где N — число молекул в единице объема.
Среднее расстояние, пройденное молекулой между столкновениями, запишется в виде:
Действительно, если взять распределение по скоростям Максвелла — Больцмана, то средняя длина свободного пробега:
(2.1)
Подставляя в это выражение величину N из уравнения состояния p=kNT, имеем:
(2.2)
т. е. получаем, что:
~
Вычислим значение средней длины свободного пробега молекулы в газе, находящемся в условиях, заданных в предыдущей задаче:
Рассмотрим теперь среднюю длину свободного пробега электронов в идеальном газе. Диаметр электрона много меньше диаметра молекулы. Эффективный радиус цилиндра, в котором движется электрон, можно принять равным d/2. Более того, поскольку скорость электрона много больше скорости молекулы, множителем можно пренебречь. Поэтому мы можем записать выражение для средней длины свободного пробега электрона в виде:
(2.3)
где р измеряется в Н/м2.
Если давление измеряется в мм рт. ст., то, подставив значение постоянной Больцмана k в выражение (2.3), получим:
Используя числовые данные, находим значение le для электронной лампы, описанной в предыдущей задаче:
Задача 3. Вероятность столкновений частиц в газе
Пусть n0 — число молекул после столкновения с какой-либо частицей в некоторой исходной точке, а n— число молекул, которые не испытали столкновений на расстоянии х от этой точки. Покажите, что доля молекул, не испытавших столкновений, определяется выражением:
где l — среднее расстояние между двумя последовательными столкновениями рассматриваемой молекулы.
Используя числовые данные для электронной лампы из задачи 1, вычислите отсюда число электронов, сталкивающихся с молекулами газа на пути от анода к катоду.
Средняя длина свободного пробега электронов при давлении 10-2 мм рт. ст. равна 43 мм. Сколько электронов столкнется с молекулами?
Решение
На расстоянии 1 м молекула сталкивается с электронами 1/le раз. На малом расстоянии dx произойдет dx/le столкновений. Последняя величина и есть вероятность столкновений частиц на длине dx.
На рис.3.1 показано местоположение отдельного соударения частицы, взятое за точку отсчета. После прохождения расстояния х относительное число молекул, не претерпевших соударений, на длине dx уменьшится на dn/n из-за столкновений на длине dx. Таким образом, поскольку dn/n также есть вероятность, столкновений, происходящих на dx, то:
Рис.3.1.
Интегрируя это уравнение, получаем:
Откуда
где С —константа. При х = 0 n=n0=C.Следовательно,
(3.1)
Согласно условиям задачи 1, расстояние, проходимое частицей в объеме электронной лампы, х=2,5·10-3м, а le = 880 м (из решения задачи 2). Подставим эти значения в выражение (3.1):
Этот результат означает, что из 3,53·105 электронов только один фактически соударяется с молекулой. Сказанное относится к вакуумной электронной лампе.
При давлении 10-2 мм рт. ст. лампа становится «газонаполненной», и в этом случае длина свободного пробега электрона много меньше, чем в вакуумной лампе:
т. е. с молекулой соударяются 10 из 172 электронов. Отсюда ясно, что в газонаполненной лампе происходит гораздо больше столкновений, чем в вакуумной.
Задача 4. Вольтамперная характеристика газового разряда. Коэффициенты первичной и вторичной ионизации Таунсенда.
Катод плоскопараллельного вакуумного диода с однородным полем облучается слабым ультрафиолетовым светом. Начертите вольтамперную характеристику от очень низкого напряжения вплоть до напряжения пробоя и обсудите кратко физические механизмы, которыми определяется форма полученной кривой.
Предполагая, что плотность электронного тока на катоде равна Je, выведите выражение для плотности тока положительных ионов на катоде. Коэффициент первичной ионизации Таунсенда обозначьте через α. При достаточно высоком напряжении между электродами несамостоятельный разряд становится самостоятельным, и в этом случае говорят, что наступает пробой. Выведите условие пробоя через коэффициент ионизации α, длину межэлектродного пространства d и коэффициент вторичной эмиссии γ.
Решение
Соответствующая вольтамперная характеристика приведена на рис.4.1. На ней можно выделить четыре различные области.
Рис.4.1
Область 1. Поскольку катод облучается ультрафиолетовым светом, испускаются фотоэлектроны и Ia растет с увеличением Va.
Область 2. Это область насыщения: все эмиттированные электроны собираются анодом. Значение тока насыщения I0 зависит от интенсивности света. Поскольку освещение слабое, это значение невелико.
Область 3. При Va≥Vi наступает ионизация и ток увеличивается (Vi —потенциал ионизации газа).
Область 4. Дальнейший рост тока связан с появлением вторичных электронов, выбиваемых из катода в результате его бомбардировки положительными ионами.
В конечном счете этот: механизм при напряжении зажигания самостоятельного разряда Vs приводит к пробою.
При Va=Vi, как показано на рис.4.2, ионизация может происходить в результате соударений на аноде.
Рис.4.2.
Рис.4.3.
При Va> Vi такие соударения могут происходить не только у самого анода, но и в глубине межэлектродного промежутка. При Va> 2Vi внутри лампы может иметь место вторичная ионизация и, таким образом, начнется увеличение тока. Эти два этапа показаны соответственно на рис. 4.3 и 4.4.
рис. 4.4.
Рассмотренный механизм носит название электронной лавины Таунсенда. Пусть Je— плотность электронного тока на катоде и α — коэффициент первичной ионизации Таунсенда, т. е. число новых электронов, создаваемых на единице длины траектории первичного электрона.
Пусть ne — число электронов, покидающих катод в 1 с, а n — число электронов, пересекающих за это же время сечение разрядной трубки в точке х (рис.4.5).
На последующем малом интервале δx каждый электрон создаст αδx новых электронов.
Поэтому число новых электронов запишется в виде:
Рис.4.5.
Интегрирование этого уравнения дает:
откуда:
или
На аноде (х = d) число электронов равно:
(4.1)
Пусть ni — число положительных ионов, достигших катода. Тогда ni определяется следующим выражением:
Вообще говоря, электронный ток I=en, а плотность тока J=en/A, где А — площадь поперечного сечения разрядной трубки.
Следовательно, мы можем записать плотность тока положительных ионов на катоде в виде Ji=Je(exp αd – 1)
Пусть γ — коэффициент вторичной эмиссии (обусловленной бомбардировкой катода положительными ионами), равный числу электронов, вылетающих из катода под действием одного положительного иона. Число ионов, достигающих катода, есть ni=na-ne.
Они создают γ(na-ne) вторичных электронов в 1 с.
При лавинном процессе:
Поэтому общее число электронов, эмиттированных в секунду, определяется выражением:
или
Отсюда находим:
Следовательно, анодный ток:
(4.2)
где I0 —ток в области насыщения (рис.4.1). Уравнение для плотности анодного тока имеет вид:
(4-3)
Когда 1– γ(expαd–1)≥0, Ja→∞. Для этого должно выполняться условие:
(4.4)
т. е.
откуда получаем условие перехода несамостоятельного разряда в самостоятельный:
Задача 5. Расчет коэффициента первичной ионизации при заданных значениях напряжения пробоя, коэффициента вторичной эмиссии и напряженности электрического поля
Пусть в разрядной трубке с межэлектродным расстоянием 5 мм пробой происходит при напряжении 500 В. Эффективное значение коэффициента вторичной эмиссии γ для катода составляет 0,018. Чему равен коэффициент первичной эмиссии и коэффициент умножения, если напряженность поля между электродами равна 105 В/м?
Решение
Согласно уравнению (4.2),
пробой происходит в том случае, когда знаменатель
т. е.
При этом коэффициент первичной ионизации равен:
Такое значение коэффициента первичной ионизации говорит о том, что первичный электрон на длине 1 м создает 807 новых электронов. Поскольку напряженность электрического поля остается постоянной, величина α не изменяется. Коэффициент умножения находим из уравнения для тока:
Коэффициент умножения
Подставляя числовые данные из условия задачи и найденное значение α, имеем:
Коэффициент умножения
Этот результат соответствует напряжению пробоя. В действительности ток ограничивается сопротивлением внешней цепи.
Задача 6. Вывод уравнения для плотности тока в разрядной трубке
Покажите, что плотность тока в газе перед пробоем между парой плоскопараллельных электродов определяется выражением:
Предполагается, что источником первичных электронов являются фотоэлектроны, выбиваемые при освещении из катода, с плотностью фототока J0, а вторичные электроны образуются в результате бомбардировки катода положительными ионами. Коэффициент вторичной эмиссии γ равен числу электронов, выбиваемых одним положительным ионом; α— коэффициент первичной ионизации Таунсенда, d—расстояние между электродами. Обоснуйте зависимость α и γ от давления р и электрического поля Е и покажите, что напряжение пробоя должно, быть функцией произведения pd (закон Пашена).
Решение
В решении задачи 5 было показано, что уравнение для плотности тока в газе перед пробоем между плоскопараллельными электродами имеет следующий вид:
Коэффициент первичной ионизации (степень ионизации) α зависит от кинетической энергии электрона и среднего числа столкновений, приходящихся на единицу длины его траектории. При неупругих соударениях электрон теряет всю энергию, которую он получил от электрического поля.
Среднее расстояние, которое электрон проходит, между соударениями, равно le, поэтому между каждым соударением он приобретает энергию Ele (электронвольт), Среднее число соударений на единице длины траектории равно 1/le.Таким образом, можно записать следующую функциональную зависимость:
где f1— некоторая математическая функция. Поскольку le ~1/p, мы имеем:
или
(величина α/p выражается числом пар ион — электрон, приходящихся на 1 мм рт. ст. давления и 1 м длины). Так как E=Va/d, мы можем записать, что:
Следовательно, выражение для плотности тока на аноде, получаемое только умножением J0 без учета вторичной эмиссии, имеет вид:
Коэффициент вторичной эмиссии γ зависит от кинетической энергии ионов и увеличивается с ее ростом.
Пусть li — средняя длина свободного пробега иона. Когда положительный ион упруго соударяется с молекулой газа, он теряет приблизительно половину своей энергии, поскольку обе массы одинаковы. Поэтому его энергия зависит от средней длины свободного пробега и между соударениями она достигает величины Eli. Так как li ~ 1/p мы имеем γ=f2(E/p) или, выразив Е через Va, следующую функциональную зависимость:
где f2 –некоторая другая математическая функция.
При пробое expαd>>1 поскольку пробой начинается, когда ехр αd=(γ+1)/γ. Обыкновенно γ<<1 (для некоторых катодов γ>1). Поэтому мы можем записать:
поскольку при пробое Va=Vs.Отсюда находим:
или
Можно видеть, что в левой части последнего уравнения не содержится Vs, а в правой величина Vs присутствует в явном виде. Поэтому уравнение будет удовлетворяться только в том случае, если Vs является функцией pd.