Туннельный пробой p-n - перехода

Туннельный пробой происходит в сильнолегированных полупроводниках с резким p-n - переходом. Толщина обедненной области в этом случае мала и составляет d~10^-6см. При обратном смещении p-n - перехода рис.7 происходит искривление энергетических зон и ширина потенциального барьера уменьшается. Электроны в области n располагаются напротив свободных уровней энергии в области р и туннелируют через потенциальный барьер без изменения энергии. При этом через p-n - переход протекает туннельный ток I_nтун.