ОДНОПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Это трех электродный прибор с одним p-n переходом и двумя контактами к базовым областям, предназначенный для усиления, генерации и переключения.
Область эмиттера должна быть легирована сильнее базы для односторонней инжекции. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу для компенсации инжектированного заряда основных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы (модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами в базе или увеличение тока в цепи нагрузки. Если на базовые выводы подано напряжение UБ1, UБ2, то вдоль базы будет существовать продольное падение напряжения. Падение напряжения будет смещать p-n переход в обратном направлении. Напряжение на p-n переходе Upn=ЕЭ – UL. При увеличении напряжения на эмиттере 0< UЭ< UL напряжение на p-n переходе UРП<0 и ток через p-n переход не идет. При UЭ= UL напряжение на переходе равно нулю, но это состояние является неустойчивым. Вследствие различных флуктуаций сопротивление базы может уменьшиться и напряжение UL уменьшиться, значит UЭ станет больше UL и p-n переход окажется смещенным в прямом направлении и будет инжектировать в базу дырки. Под действием электрического поля в базе дырки уносятся в нижнюю часть базы – ее сопротивление уменьшается. Уменьшение сопротивления нижней части приводит к уменьшению UL и увеличению напряжения на эмиттерном переходе Upn, вследствие чего инжекция носителей и ток через переход будет расти. Такой процесс приведет к лавинному нарастанию тока через p-n переход и уменьшению падения напряжения на переходе и нижней части базы и к 
появлению на входной статической характеристике участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Таким образом, однопереходный транзистор может находиться в двух устойчивых состояниях: закрытом и открытом. В открытом состоянии однопереходный транзистор будет находиться до тех пор, пока JЭ>Jвыкл, т.е. пока инжекция носителей будет поддерживать избыточную концентрацию носителей.