Лекция №7

В подложке p-типа организуется методом вплавления две области из стока и истока и канал n-типа между ними концентрация примесей в истоке выше, чем в канале и в стоке. Методом оксидирования площадь канала покрывают слоем диэлектрика. Затем напыляют слой проводника и получают затвор при нулевом напряжении. Между затвором и истоком ток от истока к стоку осуществляется за счёт наличия встроенного канала. При подаче положительного напряжения из подложки электроны концентрируются возле канала. Тем самым увеличивая его сечение и ток через канал увеличивается. При подаче отрицательного напряжения, происходит рекомбинация электронов в канале с дырками подложки, сечение канала уменьшается, ток уменьшается. Полевые транзисторы «боятся» статического электричества.