Герметизация корпуса ИС.

Для защиты микросхем от воздействия окружающей среды корпус герметизируют. В простейшем случае микросхему защищают путём опрессовки её пластмассой. Однако пластмассовые корпуса не обеспечивают абсолютной непроницаемости для влаги и газов. Более герметичными являются металлокерамические и металлостеклянные корпуса

После сборки микросхемы корпус закрывают металлической крышкой, которую приваривают к ободку корпуса. Иногда для этой цели используют электроннолучевую сварку, при этом одновременно обеспечивается вакуумирование корпуса микросхемы. Металлические корпуса пенального типа герметизируют специальным органическим компаундом.

 

 

3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ

 

В настоящей работе для визуального изучения различных видов интегральных микросхем используется оптический микроскоп МБС–9 (рис. 3.1.) Он состоит из предметного столика 1, на котором помещается исследуемая ИМС, штатива 2, вдоль которого с помощью рукоятки 3 может передвигаться оптическая система 4. 5 – объектив микроскопа, его увеличение регулируется рукояткой 6. На окуляре 7 имеется ручка регулировки резкости измерительной шкалы 8. Исследуемый объект освещается осветителем 9, который запитывается через выносной блок питания от сети.

Измерительная шкала предназначена для измерения линейных размеров исследуемых объектов.

При кратности объектива х1 и кратности окуляра х8 цена одного деления шкалы 0,1мм.

 

 

Рис. 3.1 Схема микроскопа МБС - 9

 

4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

 

1. Сделать эскиз интегральных микросхем, выданных преподавателем.

2. Определить тип корпуса ИС, её условное обозначение и расшифровать их.

3.Определить тип и количество активных и пассивных элементов гибридной ИС.

4. Зарисовать разрез активных элементов гибридной ИС.

5. Изучить технологию изготовления изучаемых ИС.

 

5. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЁТА О РАБОТЕ

 

В отчёте о лабораторной работе необходимо:

1. Привести эскиз исследованных ИС.

2. Привести условное обозначение ИС и типа её корпуса и расшифровать их.

3. Указать тип и количество активных и пассивных элементов ГИС.

4. Привести разрез активных элементов, используемых в данной ГИС.

5. Указать основные электрические параметры исследованных ИС (по справочнику).

 

6. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

1. Что такое интегральная микросхема?

2. Какими методами создаются ИМС?

3. Как классифицируются ИМС?

4. Как изолируются друг от друга отдельные элементы полупроводниковых ИС?

5. Опишите технологию изготовления биполярного интегрального транзистора.

6. Что представляют собой диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИС?

7. Какие материалы используются для подложек ГИС?

8. Какие существуют виды монтажа навесных элементов ГИС?

9. Как расшифровывается условное обозначение типа ИС?

10. Как производится герметизация ИС?

 

 

7. ЛИТЕРАТУРА

 

1. И.М. Николаев, Н.А. Филинюге. Микроэлектронные устройства и основы их проектирования. М., Энергия, 1979.

2. Г.И.Богдан, М.М. Некрасов. Плёночная электроника и полупроводниковые интегральные схемы. Киев, Вища школа, 1979.

3. И.П. Степаненко. Основы микроэлектроники. М., Советское радио, 1980.

4. И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь. Основы микроэлектроники. М., Связь, 1975.

5. Справочник по интегральным микросхемам под ред. Тарабрина, 2-е изд., М., Энергия, 1980.