Полевые транзисторы

Канал n-типа

Канал р-типа

 

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением.

 

В МДП-транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.

 

Выходная характеристика у полевого транзистора как у биполярного.

Стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока (I_c) от напряжения на затворе (U_зи) для транзисторов с каналом n-типа.

 

 

Эквивалентная схема

 

В схеме приняты следующие обозна­чения: L₃, L_и, L_c — индуктивности выводов затвора, истока и сто­ка; r_з — сопротивление потерь в металле затвора; r_и и r_с — сопро­тивления потерь неуправляемых участков канала со стороны исто­ка и стока; С_и, С_с —емкости обедненного слоя под затвором со стороны истока и стока; R_кан — сопротивление управляемой части канала и переходного слоя между каналом и обедненной областью со стороны истока (аналогичным сопротивлением со стороны стока пренебрегаем из-за его малости по сравнению с сопротивлением ем­кости С_с); С_си — емкость между контактами сток — исток. Свой­ства полевого транзистора как АЭ отражены включением в схему генератора тока i_c, зависящего от управляющего напряжения и_у на емкости С_и.

 

 

Достоинства полевых транзисторов:

- малое сопротивление накала;

- работают без входных токов;

- высокие частоты до 20ГГц;

- отрицательный температурный коэффициент;

- высокий КПД.