ПАРАМЕТРЫ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

При работе МДП транзистора в режиме усиления, используются выходные ВАХ в области насыщения. В этой области при оптимальных значениях малосигнальных параметров возможно получение минимальных нелинейных искажений в усиливаемых сигналах. В этом режиме МДП транзистор характеризуется следующими малосигнальными параметрами:

1) крутизной (4)

2) внутренним сопротивлением (5)

3) коэффициент усиления (6)

Малосигнальные параметры связаны соотношением: (7)

Крутизна в области насыщения определяется из выражения:

(8)

при выполнении равенства , выполняется равенство

Используя (8) и (3) можно получить зависимость: (9)

Внутреннее сопротивление в режиме насыщения описывается выражением:

(10)

где – концентрация акцепторов.

Выражение для коэффициента усиления легко получить из произведения (8) и (10):

типичные значения коэффициента усиления МДП транзисторов лежат в диапазоне 50–200.