ВХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИП. ТРАНЗИСТОРА С ОБ

Входные характеристики представлены на рисунке.

При входная характеристика представляет собой обычную прямую ветвь ВАХ эмиттерного p-n перехода.

При подаче на коллектор прямого напряжения транзистор переходит в режим насыщения, при котором результирующий поток электронов из эмиттера, а следовательно и ток эмиттера будут уменьшаться, переходить через нуль и изменять направление. Возрастание тока эмиттера вызвано увеличением градиента концентрации электронов в базе (эффект Эрли) при инверсном включении.