Образование инверсного слоя в барьерах Шоттки

На рис.5. представлена энергетическая диаграмма для выпрямляющего контакта металл – узкозонный (ΔW<1эВ) электронный полупроводник, когда P_м>P_n. В состоянии термодинамического равновесия неосновные носители (дырки в полупроводнике n-типа) скапливаются на границе с металлом. Если концентрация дырок p превышает концентрацию электронов n, то в плоскости контакта образуется слой с инверсным типом проводимости. Образование инверсного слоя сильно изменяет электрические свойства контакт металл-полупроводник.