Биполярные транзисторы

Управление током и усиление сигналов в схемах полупроводников электроники осуществляется при помощи транзисторов. Биполярные транзисторы – полупроводниковые приборы с двумя взаимодействующими электронными переходами и тремя выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Роль выпрямляющего электронного перехода (как и в диоде) выполняет p-n переход. В биполярных транзисторах используются одновременно два типа носителей заряда: электроны и дырки, отсюда и название – «биполярный». Существуют две структуры биполярных транзисторов: (p-n-p типа со слоями p, n и p) и (n-p-n типа со слоями n, p и n).

Крайние слои называют «эмиттером» (Э) и «коллектором» (К), между ними находится средний – «база» (Б).

В трёхслойной структуре имеются два электронно-дырочных (p-n перехода): эмиттерный переход (между эмиттером и базой) и коллекторный переход (между базой и коллектором).

При изготовлении транзистора должны быть выполнены два основные условия:

1) Толщина базы (расстояние между эмиттером и коллектором) должна быть малой по сравнению с длиной свободного пробега носителей заряда.

2) Концентрация примесей (U основного носителя заряда) в эмиттере должна быть значительно больше, чем в базе: для n-p-n; для p-n-p;