Примесные полупроводники

9.6.1. Донорная примесь, полупроводники n-типа

Введение в полупроводник примесей сильно влияет на его электрические свойства. Рассмотрим, например, что произойдет, если в решетке германия (Ge - четырехвалентен) один его атом замещен атомом примеси, обладающей пятью валентными электронами (фосфор, мышьяк, сурьма). Четыре электрона примесного атома будут находиться в химической связи с соседними атомами германия, а пятый, “лишний” электрон оказывается слабо связан с ядром атома, и его сравнительно легко перевести в зону проводимости. Энергия “лишних” примесных электронов несколько меньше минимальной энергии зоны проводимости (см. рис. 5а). Эти уровни заполнены некоторым числом электронов и называются донорными, а примесь (соответственно) называется донорной. Она создает в полупроводнике электронную проводимость или проводимость n-типа (от слова negative - отрицательный). Такой полупроводник - полупроводник n-типа.

9.6.2 Акцепторная примесь, полупроводники р-типа

Предположим что в решетку германия введен примесный атом с тремя валентными электронами, например бор или индий. Трех валентных электронов атома примеси недостаточно для образования связи с четырьмя соседними атомами Ge, поэтому заимствуется один электрон у ближайшего атома Ge. Тогда на месте электрона, ушедшего из атома германия, образуется “положительная дырка”. Атомы примеси, вызывающие возникновение дырок, называются акцепторными, а сама примесь - акцепторной. Акцепторные уровни находятся вблизи максимальной энергии валентной зоны (см. рис. 5б). Акцепторная примесь создаст в полупроводнике дырочную проводимость или проводимость р-типа (от слова positive - положительный). Полупроводник с такой проводимостью называется полупроводником р-типа.

Для примесных полупроводников ширина запрещённой зоны DЕ_пр в десятки раз меньше ширины запрещённой зоны собственных (т. е. беспримесных, химически чистых) полупроводников, т.е. DЕ_пр<<DЕ.