МОДЕЛИРОВАНИЕ ТУННЕЛЬНОГО ТОКА В ДВУХБАРЬЕРНОМ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ

Выполнил:Блинков. Е. М

Студент 2-го курса ВПО

Группы ВЕ-31б.

 

Руководитель:Пилипенко. Г. И.

 

14.12.2014г.

_________________________

 

Екатеринбург

2014г.

1. Цель работы:

Рассчитать распределение волновых функций электронов в арсенид галлиевой квантовой проволоке и оценить вероятность обнаружения электрона в той или иной части поперечного сечения проволоки.

2. Теоретическая часть:

На рисунке ниже схематически представлена энергетическая схема двухбарьерного резонансно-туннельного диода и показано протекание туннельного тока. Данный диод создается на основе арсенида галлия. При этом обычно области эмиттера состоит из p-GaAs, а коллектора — n-GaAs. При подаче на диод напряжения U:

Туннельный ток составляют электроны с разной энергией. Электроны с конкретной энергией Е создают туннельный ток.

3. Практическая часть:

Рассчитать для этих данных значение туннельного тока

1) Исходные данные:

2) Расчетная формула:

3) Вольт-амперная характеристика структуры