Вольтамперные характеристики p-n-переходов и различные модели рекомбинации в них

Зная внешнее напряжение на диоде U, можно рассчитать ток через диод J и ту долю тока, которая идет на излучение. Можно задавать ток и напряжение. В теоретическом смысле, с точки зрения согласования теории с опытом, лучше рассматривать зависимость интенсивности излучения от напряжения. Дело в том, что полный ток рекомбинации можно рассматривать как комбинацию двух параллельных процессов; излучательного и безызлучательного. И если на области, в которой идет рекомбинация, задано внешнее напряжение, то токи в параллельных цепях будут независимы.

Классифицируем различные модели тока в полупроводниковых диодах. При этом видно, что полный ток есть сумма дрейфовой и диффузионной составляющих электронного и дырочного токов:

. (7)