Реферат

Smart-cut технология (относящаяся к технологиям газового скалывания в процессе термообработки, основанных на контролируемых использованиях следующих основных процессов: создание с помощью ионной имплантации микроскопических об`емных дефектов, содержащих водород; трансформация этих созданных дефектов посредством термообработок; скалывание тонкого слоя материала подложки по системам таких дефектов по всей площади пластины) .получения кремний на изоляторе (структур КНИ (в том числе тонких слоев кремния на стекле)) и структур германий на кремнии, изоляторе, арсениде галлия, на кремнии и изоляторе и др. находит широкое применение в разработке и производстве новой элементной базы микроэлектроники и наноэлектроники, специальных радиационно- и термостойких ИС, различного рода сенсоров и датчиков и высококачественных солнечных батарей на основе монокристаллического кремния. Ниже предлагается физико-химическая модель сращивания гидратированных (гидроксилированных) поверхностей двух пластин кремния и пластин кремния и германия и других веществ. Для очистки и получения поверхности пластин кремния и германия с заданным химическим составом, их активирования и модифицирования предлагается использовать термообработку поверхности во влажных условиях (включая и возможность химической сборки поверхности) и smart-cut технологию. Известно, что группы и , полученные методом молекулярного наслаивания, полимеризуются при низких температурах с образованием сильных ковалентных , и связей. Основываясь на этом явлении, предложены модифицированные модель и технология связывания гидрофильных пластин кремния и пластин кремния и германия, которая позволяет увеличить прочность связывания при низких температурах отжига. Рассмотрены различные технологические стадии и схема процесса производства структур КНИ и структур германий на кремнии и изоляторе, а также структур на кремнии и изоляторе с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Проведенные нами успешные эксперименты по сращиванию окисленных поверхностей кремния и германия подтвердили выводы рассмотренной модели и модифицированной smart-cut технологии .

 

 

Подписи к рисункам в статье «Технология сращивания протонированных пластин кремния с поверхностью гидрофильных подложек с целью получения структур кремний на изоляторе».

Авторы В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин

 

Рис.1 Прямое связывание пластин кремния с использованием метода сращивания во влажных условиях и технологии отслаивания при получении КНИ структур.

Рис.2 Физико-химическая модель сращивания стандартных пластин кремния.

Рис.3 Прямое связывание двух окисленных пластин кремния с гидроксильными группами на их поверхности (пластины А и В).

 

Общий список работ

1. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения кремния в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники. 1998. №2. С.17-21.

2. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков,. Модель осаждения слоев кремния на стенках капилляров и пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3. C.2-4.

3. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного осаждения частиц оксидов с целью получения многокомпонентных стекловидных диэлектрических слоев на подложках кремния . Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №6. С.475-477.

4. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. ВЧИ плазменный метод получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Техника машиностроения. 1999. №1. С.48-50.

5. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния. Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

6. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности термической обработки частиц BaO, SiO₂, Al₂O₃ в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Материаловедение. 1999. № 1. С.54-56.

7. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Эксперимент: синтез диэлектрических порошков SiO₂ - Al₂O₃ - BaO в плазме. Петербургский журнал электроники. 1999. №1. С.17-23.

8. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Дягилев. О движении и залечивании пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.

9. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Осаждение материалов на стенках пор и капилляров из паро-газовых смесей. Теоретические основы химической технологии. 2001. Т.35. № 1. С.80-84.

10. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

11. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование плазменного процесса получения сплошных стекловидных диэлектрических слоев на поверхности подложек кремния. Химия высоких энергий. 1999. Т.33. №6. С.471-475.

12. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Обработка твердых частиц оксидных материалов в воздушной и аргон-кислородной высокочастотной индукционной плазме. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №2. С.18-20.

13. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.

14. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.

15. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.

16. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.

17. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Термическая обработка частиц SiO₂, Al₂O₃, BaO в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С.12-20.

18. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.

19. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, , С.П.Тимошенков, В.П.Шантарович. Времена жизни магнитопозитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур GaAs|Al_0,3Ga_0,7As. Химическая физика. 2001. Т.20. №3. С.27-30.

20. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков Моделирование и оптимизация процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов, кремния и диэлектрического стекловидного материала состава SiO₂ - Al₂O₃ - BaO в высокочастотной индукционной воздушной и аргон-кислородной плазме. Теоретические основы химичеcкой технологии. 1999. В печати.

21. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.

22. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения фазовых переходов на поверхности пористого кремния методом позитронной аннигиляции. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.380.

23. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Атом позитрония в пористом кремнии. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.381.

24. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии. Физика твердого тела. 2001. Т.43. Вып.8. С.1376-1380.

25. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO₂ - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

26. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.

27. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.

28. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А. Дьячков , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Исследование процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов и диэлектрического стекловидного материала SiO₂ - Al₂O₃ - BaO в высокочастотной воздушной и аргон-кислородной плазме.. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. С.57-68.

29. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель фазовых переходов на поверхности пористого кремния по данным метода позитронной аннигиляции. Четвертая международная научная конференции по математическому моделированию. 27 июня - 1 июля 2000. Москва: Изд-во Станкин. 2000. С.37 (Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, управления. в конденсированных системах и других средах). Тезисы докладов.

30. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.

31. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Химическая технология. 2001 В печати.

32. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv (Sanatorium <<Puscha Ozerna>>, October 2 - 5, 2000. C.23,24.

33. . С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Труды международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”. Пос. Дивногорское, Краснодарский край, Россия, 17-22 сентября. 2000. С.58.

34. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

35. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Особенности smart-cut технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания.. Петербургский журнал электроники. 2000. В печати.

36. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г. г.Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.

37. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Моделирование и оптимизация ВЧИ плазменного метода получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Всероссийская научная конференция “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Тезисы докладов. 27-30 сентября 2000 г. Ставрополь. Ставропольский государственный университет. С.53.

38. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Получение КНИ структур с использованием методов химической сборки поверхности и газового скалывания. Журнал прикладной химии. 2000. В печати.

39. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,. С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения позитронных состояний на поверхности пористого кремния. Украинский физический журнал. 2001. Т.46. № 8. С.870-877.

40. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.

41. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

42. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния. Украинский физический журнал. 2000. Т.45. №7. С.881-884.

43. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы специального назначения. Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 71 с.

44. S.P.Timoshenkov, A.L.Suvorov, V.F.Reutov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev. Production of thin plates, membranes and silicon on insulator structures by direct splicing of wafers of silicon by proton implantation. 7-я научная и деловая конференция по технологии кремния, фотогальванике и оптике ИК-диапазона. Рожнов-под-Радгостем, Чешская республика, 7-10 ноября 2000 г. В печати.

45. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической сборки поверхности. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.22, 23.

46. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.24, 25.

47. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в пористом кремнии. Химическая физика. 2000. В печати.

48. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO₂ - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

49. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

50. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Особенности процесса аннигиляции позитронов в водных растворах солей галогенидов щелочных металлов. Химия высоких энергий. 2000. Т.34. №6. С.460-466.

53. В.И.Графутин, В.Л.Гришкин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Захват позитронов ионами галогенов: Эффективные заряды ионов. Химическая физика. 2000. Т.19. №4. С.36-40.

51. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы военного назначения (Этап II). № гос. Регистрации 01200008756.Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 83 с.

52. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев Физико-химическая теория smart-cut технологий структур КНИ. Тезисы докладов XV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью - 2001».(ВИП-2001) (27 – 31 августа) 2001 г. Звенигород..2000. М.: МАИ, 2001 Том. С.202-204.

53. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. I. Технологический маршрут, физико-химические основы smart-cut технологий и особенности процессов сращивания.Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. В печати.

54. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. II. Технология процессов обработки структур КНИ. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. В печати.

55. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, П.В.Крамер,А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ. В кн.: ВОДОРОДНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ. ТРУДЫ Третьей Международной Конференции «ВОМ-2001». Украина. Донецк. 14 – 18 мая 2001 г. Ч.1,2. Донецк – 2001. С.262-264.

56. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Соединение протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.157,158.

57. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Возможность соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. «МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ XXI ВЕКА». Сборник материалов Всероссийской научно-технической конференции.Ч.Ш. Пенза, 2001. C.54-56.

58. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. Obtaining of thin single-crystal silicon layers for production of solar cells by the smart-cut technology. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.144,145.

59. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков .Использование тонких монокристаллических слоев кремния, получаемых связыванием пластин, для производства полупроводниковых приборов, ИС, сенсоров и микромеханических устройств. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.146,147.

60. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. The thin silicon single-crystalline layers fabricated by bonding of wafers for production of semiconductor devices, ULSI, sensors, micromecanical devices. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.133,134.

 

61. E.P.Prokop`ev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva, O.V.Ilyukhina. Effective charges of oxygen ions in metal oxides. Abstracts of 3^rd International Conference. NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ^’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.199.

62. E.P.Prokop`ev, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov , Yu.V.Funtikov, G.G.Myasishcheva, O.V.Ilyukhina. Positronium in semiconductors and ionic crystals. Abstracts of 3^rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ^’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.213.

63. V.F.Reutov, A.L,Suvorov, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop`ev. Technology development and production of thin plates, membranes and silicon-on-insulator (SOI) structures by the bonding of silicon wafers using the radiation-induced gas-simulated splitting. Abstracts of 3^rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ^’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001.P.186.

64. В.Ф.Реутов, A.Л.Суворов, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Развитие технологии и получение тонких пластинок, мембран и структур кремний-на-изоляторе (КНИ) связыванием пластин кремния с использованием метода газового скалывания. Reports on 3^rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ^’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. В печати.

65. S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop^'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov, B.Yu.Sharkov. Peculiarities of silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow region, Februari 5 - 16, 2001. 10 c.

Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О когерентном поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов. Тезисы докладов 3-ей Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем» (ВНКМФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.105,106.

Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков,. О возможных моделях когерентного поведения атмосферы дефектов в полупроводниковых кристаллах. Статьи (Тезисы докладов) на 3-ей Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем» (ВНКМФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 28 мая – 1 июня 2001. С.106-111.

Е.П.Прокопьев, A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. О возможных моделях когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах атомной техники (обзор). Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу Российской Федерации. 2001. В печати.

В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Report on LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001.

70. V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev, V.G.Firsov, S.P.Timoshenkov, ,G.G.Myasishcheva, V.S.Minaev, Yu.V.Funtikov. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors. Abstracts of LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001. P.335,336.

71. A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. О возможности когерентного поведения атмосферы дефектов в материаоах атомной техники. Report on LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001.

72. В.И.Графутин, Прокопьев Е.П. Применение позитронной аннигиляционной спектроскопии для изучения строения вещества. Успехи физических наук. 2001. В печати.

73. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. I. Модель сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Материаловедение. 2001. В печати.

74. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты В печати.

75. A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.Ф.Реутов, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ c использованием методов сращивания пластин кремния. Физика и химия обработки материалов. 2001. В печати.

76. A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов (обзор). Abstracts of 3^rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ^’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. P.193.

77. A.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев. О когерентном поведении атмосферы дефектов и научных основах синтеза и эксплуатации материалов (обзор). Reports on 3^rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ^’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001.

А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в ядерном материаловедении. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2001. В печати.

79. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. .О возможности синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в электронном материаловедении. Материаловедение. 2001. В печати.

80. Е.П.Прокопьев. Синергетический подход к проблеме окисления кремния. Физика и техника полупроводников, 2001. В печати.

А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к проблеме окисления технически важных материалов атомной техники. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2001. В печати.

82. Ю.А.Чаплыгин, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на диэлектрике. Известия вузов. Электроника. 2001. В печати.

83. Ю.А.Чаплыгин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к проблеме производства и эксплуатации структур кремний на диэлектрике. Химическая технология. 2001. В печати.

84. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности синергетического подхода к проблеме окисления структур кремний на изоляторе (структур КНИ). Вторая Российская школа ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния (КРЕМНИЙ, ШКОЛА-2001). 2 июля – 6 июля 2001 г. Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет). Тезисы докладов. М.: МГИСиС. 2001. С.71,72.

85. Ю.А.Чаплыгин, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.З.Петрова, В.И.Графутин, E.П.Прокопьев, Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на диэлектрике и проблемы их надежности и качества. Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств. Cборник докладов. Международный Симпозиум «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО’2001» Пенза. ПГУ. 21-31 мая 2001 г. В печати.

E.P. Prokop'ev, S.P.Timoshenkov. Possible synergetic approach to problem of silicon oxidation. Abstracts of Int. Conf. On Thin Films (12 th). Bratislava, Slovakia. 01.09.02 – 06.09.02. В печати.

A.L. Suvorov , V.Z.Petrova, S.P. Timoshenkov V.I. Grafutin, A.G..Zaluzhnyi , E.P. Prokop'ev ,V.F.Reutov. Possibility of Silicon-on-Insulator Structure Production Using Wet Surface Treatment (Chemical Assemblingand Smart Technique. Abstracts of Annyal Mtg. On Nuclear Technology. 2001, 2002, 2003. Berlin, FRG 20.05.03-22.05.03.

A.L. Suvorov , V.Z.Petrova, S.P. Timoshenkov V.I. Grafutin, A.G..Zaluzhnyi, E.P. Prokop'ev ,V.F.Reutov. Possibility of Silicon-on-Insulator Structure Production Using Wet Surface Treatment (Chemical Assemblingand Smart Technique). Abstracts of Int. Conf. On Solids Surfaces (ICSS-11) (11 th). San Francisco, USA. 26.10.01 – 02.11.01. 2001. В печати.

89. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.З.Петрова, С.П.Тимошенков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Воэможный синергетический подход к проблеме окисления структур КНИ (A.L. Suvorov , Yu.A.Chaplygin,V.Z.Petrova, S.P. Timoshenkov , A.G.Zalughnyi, V.I. Grafutin , E.P. Prokop'ev.. Possible synergetic approach to problem of soi-structure oxidation). Тезисы доклада на Всероссийской научно-технической конференции “МИКРО- и НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2001” (МНЭ-2001) с участием зарубежных ученых. 1-5 октября 2001 г. г. Звенигород. М.: 2001. Р3-41.

90. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Возможность применения smart-cut технологии к проблемам получения структур КНИ и тонких слоев германия и слоев кремний/германий на кремнии и изоляторе. Петербургский журнал электроники. 2001. В печати.

91. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.З.Петрова, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Использование соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения тонких монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элнментов. Reports on 3^rd International Conference NUCLEAR AND RADIATION PHYSICS (ICNRP ^’01). 4-7 June 2001. Almaty: Institute of Nuclear Physics, Republic of Kazakstan, 2001. In press (файл: E\CтСинергизм атм деф ICNRP’01.doc).

92. V.I.Grafutin, E.P.Prokop’ev, S.P.Timoshenkov, G.G.Myasishcheva, Yu.V.Funtikov. Physics of the Solids. 2001. Vol.43. №8. P.1433-1437 (ФТТ. 2001. Т.43. №8. С.1376-1380).

93. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO₂ – Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001. В печати. Файл: D\ТезДокл\МИЭТ Докл.doc.

94. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, М.А. Козодаев, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.Ф.Реутов. Технология сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методами молекулярного наслаивания и газового скалывания. Атомная энергия. 2001. В печати. Файл: D\prokop’ev\АтЭн1.doc.

95. А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, М.А. Козодаев, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.Ф.Реутов. Производство структур кремний на изоляторе с использованием методов термообработки поверхности во влажных условиях и газового скалывания. Известия вузов. Электроника. 2001. В печати. Файл: D\Prokop’ev\Известия ВУЗ.doc.

96. Е.П.Прокопьев. 2D Позитроны и атом позитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур. Тезисы докладов Всероссийской конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП-2002). МО РФ Росс. гос. унив. им. А.И.Герцена. Санкт-Петербург, феврадь 2002. В печати (Файл: E\Электр.-поз. Сос.\2D ПОЗ АТОМ Ps в кв ям.doc).

97. В.И.Графутин, В.А.Елесин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин. Основы технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (Ge_xSi_1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния и германия, полупроводников A³B⁵ и A²B⁶ для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров и датчиков и солнечных элементов. Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf) электронной конференции «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». Секция «Водородная обработка материалов». 2001. 60 с. В печати (файл: D\Soi\Sci BondingUkr.doc).

98. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к проблемам ядерного и электронного материаловедения (включая случаи облучения материалов протонами). Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf) электронной конференции «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». Секция «Водородная обработка материалов». 2001. 45 с. В печати (файл: D\Soi\ReportUkr.doc).

99. V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev, V.G.Firsov, S.P.Timoshenkov, ,G.G.Myasishcheva, Yu.V.Funtikov. Investigations of defect parameters in a-Si:H by positron annihilation method. Abstracts of LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001. C.336,337.

100. .А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О возиожности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники. Препринт ИТЭФ 18 – 01. М., 2001. 10 с.

101. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Препринт ИТЭФ 19 – 01. М., 2001. 8 с.

102. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О возиожности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники. ВАНиТ (Саров). 2001. В печати.

103. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. ВАНиТ (Саров). 2001. В печати.

104. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (Ge_xSi_1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A³B⁵ И A²B⁶ для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. Report on LI meeting on nuclear spectroscopy and nuclear structure “Features of nuclear exitation states and mechanisms of nuclear reactions”. Russia, Sarov, RFNC-VNIIEF. September 3-8, 2001.

105. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (Ge_xSi_1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A³B⁵ И A²B⁶ для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. Доклад на V Российской конференции по физике полупроводников. 2001 Нижний Новгород 10-14 сентября.

106. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (Ge_xSi_1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A³B⁵ И A²B⁶ для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. ВАНиТ (Саров). 2001. В печати.