П.2. Свойства полупроводников
| Наименование параметра | Ge | Si | GaAs |
| Атомный номер | |||
| Атомная масса | 72,59 | 28,08 | 72,32 |
| Кристаллическая структура | решетка типа алмаза | решетка типа алмаза | решетка типа цинк. обманки |
| Постоянная решетки, нм | 0,566 | 0,543 | 0,563 |
| Концентрация атомов, 1028 м-3 | 4,42 | 4,99 | 1,3 |
| Плотность (при 25°С), 103 кг м-3 | 5,32 | 2,33 | 5,3 |
| Твердость по шкале Мооса | 6,25 | - | |
| Относительная диэлектрическая проницаемость | 11,1 | ||
| Показатель преломления | 4,1 | 3,42 | 3,4 |
| Работа выхода, эВ | 4,78 | 4,8 | - |
| Термическая ширина запрещенной зоны, эВ экстраполированная к 0К при 300К | 0,74 0,67 | 1,21 1,12 | 1,52 1,43 |
| Температура плавления, ºС | - | ||
| Температура кипения, ºС | - | ||
| Теплоемкость (при 300К) Дж/(моль К) | 22,919 | 19,483 | - |
| Линейный коэффициент теплового расширения, 10-6 К-1 | 6,1 | 4,2 | |
| Теплопроводность, Вт/м (25ºС) | 58,6 | 83,7 | - |
| Подвижность (при 300 К) дырок, см2/(Вс) электронов, см2/(Вс) | |||
| Коэффициент диффузии (300 К) электронов, см2/с дырок, см2/с | |||
| Критическая напряженность поля для электронов, В/см для дырок, В/см | - - | ||
| Критическая скорость электронов, 104 м/с дырок, 104 м/с | 3,2 2,4 | 3,3 2,8 | - - |
| Удельное сопротивление собственного полупроводника (300 K), Ом∙см | 2,3·105 | - | |
| Относительная эффективная масса электронов дырок | 0,12 0,28 | 0,26 0,49 | 0,043 0,68 |
| Концентрация собственных носителей заряда каждого знака (300 К) | 2,5·1013 | 1,5·1010 | - |