Условные обозначения

 

A – работа; константа

a – постоянная кристаллической решетки

B – индукция магнитного поля

B_c – критическая индукция

C – емкость

C_v – теплоемкость

c – скорость света

D – коэффициент диффузии; коэффициент прозрачности барьера

d – толщина потенциального барьера; толщина объемного заряда; толщина пленки

E – энергия, напряженность электрического поля

E_g – ширина запрещенной зоны

E_a – энергия возбуждения акцепторов

E_d – энергия возбуждения доноров

E_v – потолок валентной зоны

E_c – дно зоны проводимости

E_ф – энергия Ферми

e – заряд электрона

F – сила

f – функция распределения; частота

G – число состояний

g(E) – плотность состояний

g(T) – скорость генераций

h – постоянная Планка

I – сила тока; сила света

i – плотность тока

i_s – плотность тока насыщения

i_c – плотность критического тока

k – постоянная Больцмана; волновое число

– волновой вектор

L – линейный размер; диффузионная длина

m – масса

m^* – эффективная масса

N – число частиц, эффективное число состояний в зоне

N_a – число Авогадро

N(E) – полная функция распределения по энергиям

N_a – концентрация акцепторных атомов

N_д – концентрация донорных атомов

n – концентрация электронов

n_i – равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике

n_n – концентрация основных носителей в n – полупроводнике

n_p – концентрация неосновных носителей в p – полупроводнике

P – мощность

p – импульс; давление; концентрация дырок

Q – количество тепла; заряд

R – электрическое сопротивление

R_x – постоянная Холла

S – энтропия, площадь

s – скорость рекомбинации

T – абсолютная температура

t – время

U – потенциальная энергия системы, разность потенциалов

u – смещение частицы

V – объем

J – скорость

W – термодинамическая вероятность

w – вероятность

β – квантовый выход

γ – коэффициент рекомбинации

ε – диэлектрическая проницаемость

ε₀ – диэлектрическая постоянная

λ – длина волны, длина свободного пробега

μ – химический потенциал; магнитная проницаемость; подвижность носителей

μ₀ – магнитная постоянная

μ_Б – магнетон Бора

v – частота; число столкновений

ρ – удельное сопротивление

σ – удельная проводимость

τ – время релаксации; время жизни

Ф – магнитный поток; световой поток

φ(x) – потенциальная энергия электрона

φ₀ – высота равновесного потенциального барьера

χ – работа выхода

ψ – волновая функция микрочастицы

ω – циклическая частота