Запуск мультивибратора.

Мультивибратор (GN) представляет собой генератор импульсов, выходное напряжение которого является периодической функцией времени и характеризуется скачкообразными перепадами напряжения. Мультивибраторы применяют в качестве генераторов импульсов заданной периодичности в передающих и приемных узлах телемеханических устройств, в блоках программного автоматического управления и т.п.

Как и триггер, мультивибратор состоит из двух усилительных каскадов на транзисторах VT1 и VT2 с нагрузками в коллекторных цепях RК1 и RК2. Отличие мультивибратора от триггера состоит в том, что его коллекторно- базовые связи выполняют емкостями С1 и С2 вместо резисторов, а базы транзисторов присоединены через резисторы RБ1 и RБ2 к отрицательному полюсу источника коллекторного питания - Ек.

При одинаковых параметрах каскадов, когда RК1=RК2 и RБ1 = RБ2 и С1 = С2, мультивибратор называют симметричным. При подаче на схему напряжения питания оба транзистора одновременно открываются, т.к. на их базы поступает отрицательное напряжение смещения. Однако при этом токи в эмиттерно- базовых и коллекторных цепях и зарядные токи конденсаторов С1 и С2 не будут одинаковыми (IБ1¹ IБ2 , IК1¹ IК2, IЭ1¹ IЭ2), так как элементы схемы изготовленные в пределах действующих допусков, нарушают абсолютную симметрию мультивибратора. Поэтому, у одного из двух транзисторов токи в цепях будут нарастать быстрее, у другого- медленнее. Допустим, что приращение коллекторного тока транзистора VT1 больше приращения коллекторного тока транзистора VT2 на DiК1. В следствии этого потенциал коллектора транзистора VT2 изменится (точка К2) на величину DiК1RК1. В момент открывания транзисторов конденсаторы С1 и С2 (до этого разряженные) не могут мгновенно зарядится, поэтому под положительными потенциалами коллекторов будут находится обкладки конденсаторов С1 и С2 как соединенные с коллекторами, так и соединенные с базами транзисторов VT1 и VT2, вызывая запирание этих транзисторов. Положительный потенциал коллектора VT1 выше положительного потенциала коллектора транзистора VT2 на величину DiК1RК1, поэтому запирающее действие коллекторного напряжения транзистора VT1 на транзистор VT2 будет сильнее, чем коллекторного напряжения VT2 на транзистор VT1. Это вызывает уменьшение базового и коллекторного тока транзистора VT2 и соответственно понижение потенциала в коллекторе (точка К2), в следствии чего больше возрастет разница коллекторных напряжений в пользу транзистора VT1. При этом условии потенциал базы транзистора VT1 по отношению к заземленному эмиттеру понижается и транзистор VT1 открывается еще больше. Потенциал базы транзистора VT2 по отношению к эмиттеру повышается, что ведет к еще большему закрытию транзистора VT2. Процесс разряда конденсатора С2 и заряда С1 происходит лавинообразно и заканчивается выводом транзистора VT1 в режим насыщения при закрытом транзисторе VT2 и при полностью заряженном конденсаторе С1 и разряженном С2. Однако, в отличие от триггерной схемы это состояние мультивибратора является неустойчивым, т.к. конденсатор С2 разрядится через резистор RБ2, источник напряжения питания Ек и транзистор VT1, то при отсутствии разрядного тока не будет падения напряжения на резисторе RБ2 и не будет посылаться положительного потенциала, запирающего базу Б2 транзистора VT2. На базу транзистора VT2 поступает отрицательное напряжение от -Ек. Транзистор VT2 откроется и его положительный потенциал на коллекторе (точка К2) вызовет разряд конденсатора С1 через резистор, источник напряжения питания Ек и транзистор VT2. Положительный потенциал с резистора RБ1 закроет транзистор VT1. В последующем будет происходить периодическая смена состояний транзисторов и конденсаторов с образованием на выходе 1 и 2 импульсов противоположной полярности: положительный импульс на выходе открытого транзистора, отрицательный- на выходе закрытого транзистора.