Полевые транзисторы.

Полевые транзисторы (ПТ)- это приборы, свойства которых существенно отличаются от свойств ранее рассмотренных биполярных транзисторов.

Общее между ними то, что и те и другие можно определить как приборы, управляемые зарядом и в обоих случаях мы имеем устройства с тремя выводами, в которых проводимость между выводами зависит от наличия носителей заряда, которое, в свою очередь, регулируется напряжением , приложенным к третьему управляющему выводу.

В чем же отличия? В биполярном N-P-N транзисторе переход коллектор- база смещен в обратном направлении и, обычно, ток через него не течет. Подача на переход база- эмиттер напряжения около 0.6 В преодолевает "потенциальный барьер" диода, приводя к поступлению электронов в область базы, где они испытывают сильное притяжение со стороны коллектора. Результатом является коллекторный ток, управляемый (меньшим по величине) током базы. Биполярный транзистор можно рассматривать как усилитель тока или преобразователь проводимостей.

В полевом транзисторе, как следует из его названия, проводимостью канала управляет электрическое поле, создаваемое приложенным к затвору напряжением.

Здесь нет прямосмещенных переходов, так что ток через затвор не течет и это наиболее важное преимущество ПТ перед биполярными транзисторами (БПТ) .

Как и БПТ, ПТ бывают двух полярностей: n- канальные (с электронной проводимостью) и p- канальные (с дырочной проводимостью). Но разнообразие ПТ этим не ограничивается. Во- первых, ПТ могут изготавливаться с затворами двух разных типов (ПТ с p-n- переходом и ПТ с изолированным затвором, так называемые МОП- транзисторы), а во- вторых ,- двумя типами легирования канала, что дает ПТ обогащенного и обедненного типа.

Как уже говорилось, наиболее важной характеристикой ПТ является отсутствие тока затвора. И получаемое в результате этого высокое входное сопротивление (до 10¹⁴ Ом) во многих случаях упрощает проектирование схем.