Температурная стабилизация усилителей

Существенным недостатком транзисторов является зависимость их параметров от температуры. При повышении температуры транзистора увеличивается Iк за счет возрастания числа не основных носителей заряда в полупроводнике. Это приводит к изменению коллекторных характеристик транзистора. При увеличении Iк на ∆Iк коллекторное напряжения уменьшается на ∆Uк = RкIк (рисунок 2.13).

Это вызывает смещение рабочей точки на коллекторной и переходной характеристиках (из П1 вП2). В некоторых случаях повышение температуры может вывести рабочую точку за пределы линейного участка переходной характеристики и нормальная работа усилителя нарушается. Поэтому для температурной стабилизации усилителей используется специальные меры или способы. Их два:

- эмиттерная стабилизация;

- коллекторная стабилизация.

 

Рисунок 2.13 – Зависимость характеристик транзистора от температуры

 

Эмиттерная температурная стабилизация

Для уменьшения влияния температуры на характеристику усилительного каскада с ОЭ в цепь эмиттера включают резистор Rэ, шунтированный конденсатором. В цепи базы для создания начального напряжения смещения между базой и эмиттером ставится делитель R1 / R2 (рисунок 2.14).

Напряжение Uбэ зависит от сопротивления резисторов:

Uбэ = Eк R2 / (R1 + R2) − Rэ Iэ,

Где первый член уравнения есть потенциал базы, а второй – потенциал эмиттера.

Рисунок 2.14 – Схема УК с эмиттерной температурной стабилизацией
При наличии Rэ увеличение эмиттерного тока Iэ = Iб + Iк из-за повышения температуры приводит к возрастанию падения напряжения на Rэ. Это вызывает снижение потенциала базы по отношению к потенциалу эмиттера, т. е. Uбэ уменьшается, а, следовательно, уменьшаются Iэ и Iк.

 

Конечно, уменьшение Iк за счет Rэ не может полностью скомпенсировать рост Iк за счет повышения температуры, но влияния температуры на Iк при этом во много раз снижается.

Однако введение Rэ изменяет работу усилительного каскада. Переменная составляющая эмиттерного тока iэ создает на резисторе дополнительное падение напряжения Uэ = Rэ iэ, которое уменьшает усиливаемое напряжение, подводимое к транзистору:

Uбэ = UвыхRэ iэ

Коэффициент усиления усилительного каскада при этом будет уменьшаться. Это явления называется отрицательной обратной связью. Для ослабления ООС параллельного Rэ включают емкость Сэ, сопротивление которой намного меньше Rэ. При этом падение напряжения на участке RэСэ от переменной составляющей iэ будет незначительным, поэтому усиливаемое напряжения практически равно входному:

Uбэ Uвх

Недостатком эмиттерной стабилизации является необходимость повышения напряжения питания коллекторной цепи, т. к. при включении Rэ Uк уменьшается за счет падения напряжения на Rэ.

 

Коллекторная температурная стабилизация

В этом случае напряжение обратной связи подается из коллекторной цепи в цепь базы с помощью резисторов R1 и Rк, включенных между коллектором и базой транзистора (рисунок 2.15).

Рисунок 2.15 – Схема УК с коллекторной температурной стабилизацией
При повышении температуры Iк увеличивается, а Uк уменьшается. Это приводит к снижению потенциала базы, а, следовательно, к уменьшению Iк0 и Iк, который стремится к своему первоначальному значению. В результате Iкн, Uк изменяются незначительно. Т. е. введение резисторов R1 и Rк приводит к существенному ослаблению влияния температуры на характеристики УК.

Чтобы составляющая коллекторного напряжения не попадала в цепь базы, в УК используют фильтры.

Усилитель с коллекторной стабилизацией обладает меньшей стабильностью, чем усилитель с эмиттерной стабилизацией, но он не требует повышения напряжения питания коллекторной цепи.