Физические принципы работы транзисторов

Рассмотрим работу транзистора р-n-р типа.

В цепь между базой и коллектором транзистора включено в проводящем (прямом) направлении напряжение Е (1…2 В). Вследствие этого потенциальный барьер эмиттерного перехода снизится на величину Еэ: Uэб =φ − Еэ. Действие барьера ослабляется и «дырки», обладающие большими скоростями, могут переходить через p-n переход в базовую область, создавая ток эмиттерного перехода iэ. Этот процесс называется инжекцией дырок.

Одновременно происходит переход электронов из базы в эмиттер. Однако при выборе значительно меньшей концентрации носителей тока в базе, этот встречный поток электронов оказывается намного меньше потока дырок, и обратный ток эмиттера iобр мал..

Инжектирование в базу дырки в результате диффузии направляются к коллектору за счет перепада плотности дырок по длине базы. Диффузия происходит в течении конечного времени при отсутствии электрического поля.

За время диффузии часть дырок рекомбинирует с электронами, приходящими в базу через базовый вывод от источника Еэ, и образует базовый ток iБ. В цепь между базой и коллектором включено напряжение Ек, смещающее коллекторный переход в запирающем (непроводящем) направлении и увеличивающее потенциальный барьер коллекторного перехода. Величину напряжения Ек выбирают порядка 5…20 В.

Дырки, попавшие в базу из эмиттера и равномерно распределившиеся по объему базы, подхватываются полем коллекторного перехода, которое является для них ускоряющим, и втягиваются в коллектор. Этот процесс называется экстракцией дырок (рисунок 1.36). Эти дырки образуют коллекторный ток iк. В области контакта коллектора с внешней цепью дырки рекомбинируют с электронами, подходящими из внешней цепи от источника питания Ек. Цепь тока оказывается замкнутой.

Из рассмотрения процессов видно, что:

iэ = iб + iк.

Для увеличения коллекторного тока iк величину базового тока iБ стремятся сделать как можно меньше. В современных транзисторах удается получить iБ ≈ (0,05…0,1) iэ путем снижения ширины области базы. Тогда iк ≈ (0,95…0,9)iэ.

а

б

Рисунок 1.36 – Физические процессы в p-n-р транзисторе:

а – структура транзистора; б – распределение потенциалов.

 

Отношение коллекторного тока к эмиттерному называется коэффициентом передачи тока транзистора:α = iк / iэ = 0,95...0,99.

Таким образом, токи в транзисторе связаны следующими соотношениями: Iк = α iэ; IБ = (1 − α)iэ;

Если в цепь между базой и коллектором ввести переменное напряжение Ег небольшой величины (Ег < Еэ), то количество инжектированных дырок, то есть ток iэ будет меняться вследствие изменения высоты потенциального барьера. Если в цепь между коллектором ввести еще сопротивление Rн (смотри рисунок), то изменение эмиттерного тока iэ приведет к изменению коллекторного тока iк приблизительно в тех же пределах.

Так как сопротивление коллекторной цепи велико (коллекторный переход смещен в обратном направлении), то протекание по этой цепи изменяющегося и значительного по величине тока iк позволяет получить в усилителе на транзисторе усиление по напряжению и мощности.

Работа транзистора n-p-n типа происходит аналогично работе

транзистора p-n-p типа. В этом случае носителями тока являются электроны, и полярность внешних источников напряжений меняется на противоположную.