Дифференциальные параметры БТ.

Биполярный транзистор удобно представить активным нелинейным четырехполюсником, изображенным на рис. у которого выходной ток I₂ и входное напряжение U₁ зависят от входного тока I₁и выходного напряжения U₂, в этом случае четырехполюсник описывается системой уравнений в H-пара­метрах.

 

Переходя к мгновенным значениям напряжений и токов, уравнения можно представить в виде:

u₁ =f₁(i₁,u₂);

i₂=f₂(i₁,u₂).

При малых изменениях токов и напряжений приращения входного и выходного напряжений и токов можно найти из следующих уравнений:

Δu₁=

 

Частные производные в уравнениях являются дифферен­циальными H-параметрами транзистора:

 

 

Если значения переменных напряжений и токов транзистора существенно меньше значений постоянных напряжений и токов транзистора, то приведенные выше уравнения можно записать в виде:

Здесь I_вх= I₁ и U_вых = U₂ — постоянные составляющие соответст­венно входного тока и выходного напряжения.

Каждый из параметров, приведенных в уравнениях, имеет определенный физический смысл:

входное со противление транзистора при коротком замыкании на выходе (u_вых= 0). коэффициент обратной связи, характеризующий влияние выходного

напряжения на режиме разомкнутой входной цепи транзистора; — усиления по току при u_вых= 0.

Указанные параметры можно определить по статическим характеристикам БТ, используя вместо частных производных соответству­ющие им малые приращения токов и напряжений. Значения H-параметров зависят от схемы включения БТ. В справочниках обычно приводят значения H-параметров для БТ, включенных по схеме с общим эмиттером. Для них приняты обозначения H_11э, H_12э, H_21э, H_22э.

Используя H-параметры, нетрудно представить формальную эквивалентную схему БТ в виде рис. справедливую для лю­бой схемы включения транзистора.

Система H-параметров называется гибридной, так как одни H-параметры определяются в режиме холостого хода на выходе, а другие в режиме короткого замыкания на выходе. При этом параметры имеют разную размерность. Рассмотренные параметры широко используются при расчетах низкочастотных транзисторных схем.