Вакуумная и плазменная электроника 3 страница
(2.8)
Реальная температура поверхности Ts будет определяться сложным балансом между разнообразными видами выделения и потерь тепла однако, если Ts, превышает температуру плавления, можно ожидать мгновенного разрушения эмиттирующего острия.
Параметры термоэлектронных катодов. В большинстве электровакуумных и ионных приборов используются термоэлектронные катоды, эмиссия с поверхности которых происходит в результате сообщения им тепловой энергии. Эти катоды характеризуются следующими основными параметрами.
Эмиссионная способность — величина тока эмиссии с одного квадратного сантиметра его поверхности — определяется формулой (2.2)
Величина Ieq, характеризующая эмиссионную способность катода, зависит от его физических свойств (коэффициент А0), температуры Т и работы выхода E0.
Рабочая температура катода Траб определяет наиболее эффективный тепловой режим катода. Величина Траб выбирается из условий энергетического баланса, учитывающего получение тепловой энергии за счет подогрева катода, бомбардировки его электронами и ионами, а также расход энергии на излучение, нагрев держателей катода, испарение .вещества, эмиссию электронов и т.д.
Эффективность катода характеризует отношение тока эмиссии к мощности, подводимой к катоду для его подогрева:
(2.9)
Здесь Iн и Uн — ток и напряжение накала соответственно.
Согласно экспериментальным исследованиям сообщаемая катоду мощность расходуется в основном (около 70%) на излучение и лишь незначительная часть — непосредственно на эмиссию электронов.
Долговечность или срок службы катода — параметр, имеющий существенное значение для оценки его эксплуатационных качеств. Наиболее употребительным критерием оценки долговечности катода является относительное уменьшение его тока эмиссии. Обычно эту величину измеряют некоторым средним для данного типа катода временем, в течение которого ток эмиссии уменьшается до 80% от номинального значения.
Причины выхода катода из строя чрезвычайно разнообразны, и в зависимости от тина катода и условий его эксплуатации те или иные из них могут быть преобладающими или второстепенными. Одна из наиболее важных причин — это распыление активирующего катод вещества. Уменьшение эмиссии катода может произойти также в результате разрушения его бомбардирующими нонами, образования на поверхности окислов и химических соединении, повышающих работу выхода, и т. д.
2.4.Материалы катодов
Термокатоды
Хотя для преодоления трудностей, характерных для конкретных приборов, предпринимались попытки использования чрезвычайно разнообразных типов и конструкции катодов, лишь относительно малое число катодов нашло широкое применение. Из чисто металлических катодов наиболее популярными являются вольфрамовые. Менее популярны танталовые, поскольку при несколько меньшей рабочей температуре (для получения той же величины эмиссии) тантал и плавится при более низкой температуре (2996 °С по сравнению с 3410 °С для вольфрама).
Торированный вольфрамовый катод (содержащий около 2 % окиси тория по массе) является первым диспенсерным катодом, поскольку работа выхода вольфрама понижена адсорбированным монослоем тория. Для того чтобы доставлять торий к поверхности со скоростью, достаточной для поддержания низкой работы выхода при рабочей температуре и в нормальных вакуумных условиях, катод карбидируют, т. е. на поверхности формируют слой карбида вольфрама путем нагрева ее до высокой температуры в атмосфере углеводорода или в контакте с графитовым порошком. В процессе работы карбид вольфрама взаимодействует с окисью тория, образуя свободный торий и окись углерода. Присутствие углерода дает также возможность эксплуатировать катод без отравления при относительно высоком парциальном давлении кислорода (10-3 Па), поскольку окись углерода нe остается на эмиттирующей поверхности. Такие катоды позволяют получать плотность тока до 3 А/см2 при рабочей температуре 1720°С. Основной недостаток торированных вольфрамовых эмиттеров заключается в том, что они постоянно выделяют окись углерода. Это может создавать трудности в установках для получения вакуумного ультрафиолетового излучения и в приборах, чувствительных к присутствию ионов. Тем не менее в тех случаях, когда нужен стойкий катод, например в разборной системе или системах электронно-лучевой литографии, используемых для серийного производства масок и подложек, этот катод работает исключительно хорошо.
Принцип действия катода из гексаборида лантана также основан на механизме диспенсирования. Кристаллическая структура гексаборида лантана необычна тем, что атомы бора соединены сильными валентными связями и образуют трехмерную структуру в виде клетки вокруг атома лантана, который не связан с атомами бора. Сильные связи между атомами бора делают кристалл тугоплавким, а валентные электроны лантана обеспечивают проводимость. При нагревании атомы лантана диффундируют к поверхности, образуя монослой с низкой работой выхода. Лантан, испаряющийся с поверхности, возобновляется за счет поступления из внутренних слоев. Существует, однако, трудность с созданием катодного держателя, так как гексаборид лантана при рабочих температурах вступает в химическую реакцию или образует сплав с большинством тугоплавких материалов. Первоначально катоды изготавливались из шлаковых порошков, однако в настоящее время предпочтение отдается монокристаллам. Кончики кристаллов, обычно в форме заостренных стержней, могут нагреваться электронной бомбардировкой, тогда как катодный держатель и электрические контакты прикреплены к охлаждаемому основанию. Для получения максимальной яркости такие катоды используются обычно в режиме насыщения (режиме Шотки). Дело в том, что эмиссия характеризуется различной интенсивностью в разных направлениях, и необходимо добиваться, чтобы направление с максимальной интенсивностью соответствовало оптической оси.
Оксидный катод привлекателен из-за его низкой рабочей температуры. Он состоит из неплотно упакованных кристаллов окиси бария, стронция и кальция па никелевом основании. Кристаллы окиси, гигроскопичные в воздухе, необходимо формировать в вакууме, нагревая карбонаты для удаления избыточного углекислого газа. Необходимо предусмотреть меры, чтобы смесь карбонатов и окислов не плавилась во время этого процесса, что приводит к потере пористости катода. Никелевая подложка катода содержит примеси, такие как алюминий или цирконий, которые при рабочей температуре (750°С) взаимодействуют с окисью бария, образуя свободный барий. Свободный барий способствует как увеличению проводимости кристаллов, так и образованию на поверхности монослоя с низкой работой выхода. Кроме электронной проводимости через кристалл имеет место перенос заряда от никелевого основания к эмигрирующей поверхности через щели потоком, ограниченным пространственным зарядом, а также за счет электролиза кристаллов. При длительном сроке службы могут быть получены непрерывные токи плотностью около 0,5 А/см2 и импульсные токи свыше 100 А/см2.
К сожалению, оксидные катоды весьма чувствительны к вакуумным условиям и их эмиссионные свойства легко могут быть надолго нарушены (отравление катода). Таким образом, они непригодны для разборных высоковольтных систем, характерных для электронной микроскопии и литографии, хотя наиболее предпочтительны для кинескопов и передающих трубок. Для преодоления этой трудности были предприняты попытки помещать эти катоды в никелевую матрицу. Хотя в этом случае катоды становятся более стойкими, они имеют более высокую рабочую температуру, ограниченную к тому же сверху величиной 1000°С, при которой скорость испарения никеля превышает допустимую.
Бариевые диспенсерные катоды па основе вольфрама оказались очень перспективными для получения высокой плотности тока. Они представляют собой изготовленную при помощи порошковой металлургии пористую вольфрамовую губку. Барий диспенсируется через поры к эмиттирующей поверхности и образует там монослой с низкой работой выхода. В наиболее предпочтительной конструкции поры наполнены смесью алюминатов бария и кальция путем пропитки в жидкой фазе. В процессе работы алюминаты реагируют с вольфрамом, образуя свободный барий, который легко диффундирует через матрицу. В отпаянных генераторных лампах обычно получают плотности тока порядка 5 А/см2 при рабочей температуре катода 1100°С.
Если эмиттирующая поверхность предварительно покрыта осмием (М-катод) или иридием, работа выхода существенно понижается, и катоды могут обеспечивать плотность тока до 20 А/см2 до возникновения ограничения, связанного с превышением допустимой величины скорости испарения бария. Несмотря на то, что бариевые диспенсерные катоды чувствительны к окружающей среде, они обычно не отравляются надолго даже при высоких давлениях окружающих газов.
Автоэлектронные катоды
Малые площади эмиттирующей поверхности катодного острия (радиусом 0,2—1,0 мкм), характерные для автоэлектронных катодов, очень привлекательны с точки зрения получения требуемых в электронной микроскопии и литографии малых размеров фокального пятна, поскольку в этом случае электронно-оптическая система (ЭОС) должна обеспечить лишь небольшое уменьшение изображения микроострия. Чтобы получить малый размер кроссовера в электронно-оптической системе с термокатодом, требуется большое уменьшение изображения. При этом получается кроссовер с настолько большой плотностью тока электронов, что возникает обмен энергиями между электронами и возрастает их эффективная температура.
Этого можно избежать в ЭОС с автоэлектронным катодом, где образуется виртуальный кроссовер.
Основными недостатками автоэлектронной эмиссии являются следующие:
– эмиссия с микроострия может быть неоднородной вследствие того, что она происходит с различных граней кристалла;
– эмиссия нестабильна.
Грани кристаллов на микроострие обычно расположены симметрично вокруг центральной грани, которая имеет наибольшую работу выхода и поэтому является неэмиттирующей (если не предприняты специальные меры для снижения работы выхода). Одним из способов устранения этого недостатка является использование вольфрамовой проволоки из монокристалла, ориентированного таким образом, чтобы кристаллическая грань с наименьшей работой выхода (110) находилась на оси. Однако такие катоды могут использоваться только в приборах, где можно поддерживать достаточно низкое давление (<10-8Па) для предотвращения быстрой эрозии микроострия из-за распыления поверхности бомбардировкой ионами, образующимися при взаимодействии пучка электронов с остаточным газом. Для предотвращения эрозии можно поднять температуру катода до значения, при котором разрушенное острие непрерывно самовосстанавливается за счет рекристаллизации. Это переводит катод в режим термоавтоэлектронной эмиссии. Обычно нагрев приводит к непрерывной переориентации кристалла, сопровождающейся появлением на оси различных граней. Несмотря на эти трудности обиаружено, что работающий при температуре 1350±50 К катод с цирконием, адсорбированным на вольфрамовом кристалле с ориентацией <100>, может в течение 1000 часов обеспечивать ток эмиссии 100 мкА при приложенном напряжении (2500—3000) В, если давление не превышает 2·10-6 Па.
В табл. 2.1 сведены характеристики наиболее широко применяемых катодов.
Таблица 2.1 – Катоды и их свойства
Тип эмиссии | Тип катода | Плотность тока эмиссии, А/см2 | Рабочая температура,К | Верхний предел по давлению,Па | Яркость A/(см2·cp) при 20 кВ |
Термоэлект- ронная | Вольфрамовый | 0,6 7,3 | 10-2 | 1,8·10-4 1,9·105 | |
Термоэлект- ронная | Танталовый | 0,5 | 10-3 | 1,6·10-4 | |
Термоэлект- ронная | Торированный вольфрамовый | 1–3 | 5·10-4 | 3,75·10-4÷ ÷1,1·105 | |
Термоэлект- ронная | Оксидный | 0,5 | 10-4 | 3,4·104 | |
Термоэлект- ронная | Бариевый диспенсерный | 0,5–6 | 1050–1400 | 5·10-4 | 3,4·104 3,2·105 |
Термоэлект- ронная | Гексаборид- лантановый | 20,4 | 10-4 | 9,5·105 | |
Автоэлект- ронная | Вольфрамовый монокристаллический | до 106 | Комнатная | 10-8 | 108 |
Термоэлект- ронная | Вольфрамовый с циркониевым покрытием | 1400–1800 (1,5эВ) | 10-7 | 1010 | |
Фотоэлект- ронная | Палладиевый | 2·10-5 | Комнатная (2эВ) | 10-5 | 2·10-1 |
Фотоэлект- ронная | Иодно-цезиевый | 2·10-6 | Комнатная (0,5эВ) | 10-2 | 2·10-1 |
Совершенно другой подход к предотвращению эрозии заключается в уменьшении расстояния между анодом и катодным острием до величины, достаточной для того, чтобы необходимая для возникновения автоэлектронной эмиссии напряженность электрического поля 5·107В/см вблизи поверхности катода возникала при небольшом приложенном напряжении. В этом случае ионы, образующиеся в межэлектродном промежутке, не смогут приобретать энергию для разрушения микроострия. С использованием приемов нанотехнологии были получены молибденовые острия радиусом 50 нм в центре анодного отверстия радиусом 0,6 мкм. В этом случае могут быть получены токи эмиссии от 1 до 150 мкА при напряжениях от 25 до 250 В, и катоды могут, работать при давлениях до 10-3 Па. Поскольку острия образуются за счет испарения в вакууме, они не представляют собой монокристаллы, и их поверхности не являютcя идеально чистыми. В результате эмитирующая поверхность распадается на множество микрокоспически малых (несколько атомных размеров) участков, что вызывает флуктуации тока эмиссии по поверхности. Эти флуктуации существенно уменьшаются при рабочей температуре катода около 400 °С.
Жидкие металлы под действием сильного электрического поля могут вытягиваться из крошечных сопел; при этом образуются микроострия с очень малыми радиусами. Если электрическое поле имеет нужную направленность, с остриев возникает автоэлектронная эмиссия. Использование индиево-галлиевого сплава позволяет получать плотности тока до 250 А в импульсе.
Несмотря на значительный прогресс в применении автоэлектронных катодов, позволяющий с успехом использовать их в некоторых типах приборов, ясно, что они еще не могут в настоящее время удовлетворять всем требованиям, предъявляемым к источникам электронов при изготовлении или эксплуатации микроприборов.
Контрольные вопросы
1.Дайте определение работы выхода электрона.
2.Как зависит работа выхода электрона от междуатомного расстояния ?
3.Какая наблюдается зависимость коэффициента вторичной эмиссии от энергии падающего иона ?
4.Какие основные причины выхода из строя термокатодов ?
5. Какие основные недостатки оксидных катодов ?
6.Какие основные недостатки автоэмиссионных катодов ?
ТЕМА 3. ПАРАМЕТРЫ И РАСЧЕТ ИСТОЧНИКОВ ЭЛЕКТРОНОВ
3.1.Требования к источникам и ограничения на параметры
Источник электронов является прибором, который генерирует, ускоряет и фокусирует пучок электронов до малых поперечных размеров [4].
В большинстве электронно-оптических установок от источников электронов требуется обеспечение максимально возможной плотности тока на заданном участке поверхности. Угловая расходимость электронов за фокусом должна быть достаточно мала, с тем чтобы свести к минимуму аберрации линз или добиться электронно-оптической когерентности. Таким образом, вблизи фокуса пучок электронов должен иметь наибольшую плотность тока в единичном телесном угле. Источник электронов считается «хорошим», если плотность тока в фокальной области велика, фокальная область мала, а аберрации оптических элементов источника минимальны.
Яркость источника обозначается буквами β или R (от нем. Richtstrahlwert) и определяется как плотность тока (j) в единичном телесном угле. Телесный угол для конуса с углом при вершине 2θ равен 2π(1-cosθ), а для малых θ приблизительно равен πθ2; тогда для яркости имеем следующее выражение:
. (3.1)
Для β существует верхний предел (ленгмюровский предел), определяемый соотношением
(3.2)
где j — плотность тока на катоде; Т — температура катода; е — заряд электрона; k— постоянная Больцмапа.
Это теоретическое ограничение является следствием того, что эмиттируемые катодом электроны имеют максвелловское распределение по энергиям с наиболее вероятной энергией кТ и средней энергией 2kT. Электроны, эмиттированные в свободное пространство, подчиняются закону Ламберта:
(3.3)
где j(θ)— плотность тока эмиссии в направлении, составляющем угол θ с нормалью; j —полная плотность тока в полусферу (рис.3.1). Если электроны ускоряются однородным электростатическим полем, параллельным оптической оси, составляющие их скорости (vz), параллельные силовым линиям поля, увеличиваются, тогда как перпендикулярные составляющие (vr) остаются неизменными. В этом случае угол расходимости θ уменьшается от π до величины отношения перпендикулярной и параллельной составляющих скорости (θ≈vr/vz). При ускорении электронов с начальной энергией eVo=kT до энергии eV новый половинный угол расходимости θ’ (рис.3.1) может быть выражен через энергию:
(3.4)
тогда для яркости с использованием равенства (2.16) получается выражение,
(3.5)
которое может быть использовано для любой фокусирующей системы, расположенной после источника. Никакая фокусирующая система не может увеличить яркость сверх значения, соответствующего эмиттирующей поверхности.
Рис.3.1. Траектории электронов, испускаемых плоским эмиттером.
3.2. Формирование изображения
Закон Ферма для геометрической оптики устанавливает, что среди множества возможных траекторий между точками А и В истинная траектория светового луча соответствует минимальному времени распространения. Математически это утверждение можно записать как требование обращения в нуль вариации времени распространения. Таким образом,
(3.6)
где ν — скорость распространения световой волны (здесь n — коэффициент преломления среды, через которую проходит свет);
ds — элемент пути вдоль истинной траектории.
Очень близкий к этому закону принцип определяет движение материальных частиц в консервативных силовых нолях. Это принцип наименьшего действия, или принцип Мопертюи:
(3.7)
Посколькуиз , это уравнение идентично равенству (3.6), если коэффициент преломления определяется как:
(3.8)
в предположении, что V равно нулю в точке нулевой скорости электрона.
Использование соотношения (3.8) может быть проиллюстрировано на примере преломления пучка электронов (рис.3.2). Предположим, что электрон, пролетающий с неизменной скоростью ν через пространство с постоянным потенциалом V, попадает в пространство с другим однородным потенциалом V, так что внезапно меняется направление траектории электрона. Если потенциал , нормальная составляющая скорости νy электрона возрастает, тогда как тангенциальная составляющая νx остается неизменной .
Рис.3.2. Преломление электронного пучка.
Кроме того,
, (3.9)
Следовательно, , что выражает закон Снеллиуса для электронной оптики.
В световой оптике, согласно закону синусов,
(3.10)
где и — расстояния от оси до точки объекта и соответствующей ей точки изображения; и — полуапертуры лучей для объекта и изображения (рис.3.3); и - коэффициенты преломления для областей объекта и изображения. В электронной оптике, когда объект расположен в области с потенциалом , а изображение — в области с постоянным потенциаломзакон синусов может быть записан в виде:
(3.11)
Рис.3.3. Формирование изображения в электронной оптике.
Поскольку член пропорционален поперечной составляющей скорости электрона, этот закон согласуется с теоремой Лиувилля, утверждающей, что произведение является инвариантом движения. Как в электронной, так и в световой оптике закон синусов подразумевает, что изображения формируются параксиально для очень малых углов θ. Поскольку разложение синуса имеет вид sinθ=θ–θ3/3!+θ5/5!+…, равенство (3.11) переписывается для малых θ в виде:
(3.12)
Случай, когда sinθ аппроксимируется первым членом уравнения, называется «гауссовой оптикой», или теорией первого порядка в отличие от теории третьего порядка, учитывающей второе слагаемое в уравнении.
Соотношение (3.11) называют теоремой Гельмгольца—Лагранжа. Если в аксиально-симметричной оптической системе отсутствуют потери эмиссионного тока, i обозначает полный ток эмиссии источника, j — плотность тока, то плотность тока электронов на изображении определяется выражением:
(3.13)
3.3. Параметры пучков
При рассмотрении параметров электронных пучков, получаемых при помощи источников электронов, необходимо учитывать следующие ограничения:
- пучки обладают аксиальной симметрией;
- эмиттирусмые электроны имеют максвелловское распределение как по продольным, так и по поперечным скоростям;
- области изображения и объекта связаны уравнением Гельмгольца — Лагранжа;
- силы пространственного заряда считаются пренебрежимо малыми.
На рис.3.4 изображена схема источника электронов, предназначенного для работы в технологических и аналитических установках. Электроны вытягиваются из катода, если на последующие электроды (сетку и анод) поданы соответствующие потенциалы. Затем они проходят через кроссовер, служащий объектом для оптической системы. После прохождения кроссовера пучок расходится, принимая приблизительно коническую форму. Установленная строго на оптической оси круговая диафрагма позволяет выделить из конического пучка небольшую центральную часть. Эта часть пучка затем фокусируется линзой на мишень или флоуресцентный экран.
Рис.3.4. Схема формирования пучка в источнике электронов.
Катод, сетка и анод образуют трехэлектродную систему. Если линза тонкая, а потенциал экрана совпадает с потенциалом анода, линза образует изображение кроссовера с коэффициентом увеличения М = b/а. Очевидно, что управлять размерами фокального пятна можно, просто варьируя величину отношения b/а. Изменение коэффициента увеличения является основным способом достижения наилучшей фокусировки при расчете источника электронов.
Отличительной особенностью таких источников является то, что поперечное сечение пучка на экране в первом приближении определяется не площадью и формой эмиттирующей поверхности катода, а радиусом кроссовера (rc), который может быть значительно меньше радиуса катода. Первая линза источника выполняет функции иммерсионного объектива, который формирует кроссовер и регулирует ток пучка. Кроссовер служит объектом для второй линзы.
На рис.3.5 приведена схема источника и траектории электронов в прикатодной области.
Рис.3.5. Траектории электронов в прикатодной области.
Если электроны покидают катод с нулевой начальной скоростью, они пересекают оптическую ось точно в точке 0, т. е. радиус кроссовера равен нулю. Если же начальные скорости отличны от нуля, траектории электронов пересекают оптическую ось дальше точки 0 на расстоянии, зависящем от направления начальной скорости (электроны как бы испускаются поверхностью виртуального катода С').
Для определения радиуса кроссовера (rc) пучка электронов, эмиттированных с катода с начальной скоростью ν0(соответствующей энергии eV0), используется теорема Гельмгольца —Лагранжа в следующей форме:
(3.14)
где r0и r1— радиусы катода и изображения соответственно;
V0 и V - потенциалы областей катода и изображения;
γ1 и γ2 - апертурные углы.
Из рис. 3.5 находим, что радиус кроссовера rc=btgγ2≈bsinγ2 для малых γ2,ri≈btgθ, и, используя равенство (3.14), получаем
(3.15)
Если предположить, что направления начальной скорости равновероятны в диапазоне углов γ1 от 0 до 900, то максимальное значение sinγ1 равно единице, а максимальный радиус кроссовера дается выражением: