Лавинный пробой p-n- перехода

Лавинный пробой вызывается лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля. При движении в сильном электрическом поле в p-n -переходе энергия электронов существенно превышает энергию теплового движения kТ. Если на длине свободного пробега электронов l_n энергия электрона W = qЕl_n ³DW, где DW – энергия ионизации нейтрального атома кристаллической решетки, то при соударении атом ионизируется и электрон из валентной зоны переходит в зону проводимости, как показано на рис. 8. Дальше движутся уже два электрона, и при следующем соударении, возникает еще два свободных электрона. Процесс образования электронов носит лавинный характер. Следует отметить, что дырки движутся в базу и также могут ионизировать нейтральные атомы при столкновении.

Туннельный и лавинный пробой являются обратимыми и не приводят к разрушению полупроводника.

Тепловой пробой обусловлен перегревом полупроводника в результате прохождения избыточного тока через переход. Тепловой пробой, как правило, приводит к разрушению структуры p-n -перехода.