Идеализированная модель Шокли
Идеализированная вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода рассчитывается на основе следующих приближений:
1. Рассматривается одномерная модель p-n - перехода с полубесконечными областями p и n.
2. Электрическое поле внутреннее и внешнее сосредоточено только внутри p-n - перехода, база и эмиттер электрически нейтральны.
3. В области p-n -перехода нет генерации и рекомбинации носителей заряда, а также нет ловушек.
4. Уровень инжекции считается малым.
5. Омические переходы идеальны.
Для нахождения ВАХ нужно решить уравнения непрерывности p-n - перехода в этих приближениях. Вывод приводится в [1-3]. Уравнение идеализированной вольтамперной характеристики p-n - перехода:
, (12)
или
. (13)
ВАХ идеального p-n - перехода показана кривой а на рис. 5. При U = 0 ток через переход I = 0. В случае приложения прямого напряжения U > jT единицей в формуле (12) можно пренебречь и зависимость I(U) будет иметь экспоненциальный характер. При достаточно большом обратном напряжении (при |−U| > 3ψТ) величина обратного тока IS = −I0 и не зависит от напряжения.
Один из важнейших параметров прямой ветви ВАХ – дифференциальное сопротивление перехода. Дифференцированием формулы (13) можно получить
. (14)
Типичным значением, которое полезно запомнить, является rp‑n≈ 25 Ом при токе I = 1 мА.
Зависимость напряжения на p-n - переходе от температуры при постоянном прямом токе характеризует температурный коэффициент прямого напряжения
. (15)