Режим отсечки биполярного транзистора

Рис. 7.4 Режим отсечки транзистора n-p-n-структуры

Режим отсечки транзистора n-p-n-структуры показан на рис. 7.4.

В режиме отсечки эмиттерный и коллекторный переходы закрыты. В связи с этим на n-слои транзистора подается «+», а на p-слой подается «-». При этом выполняются неравенства . Так как оба перехода закрыты, то основные носители зарядов не перемещаются. Через переходы текут небольшие токи, обусловленные неосновными носителями.