Интегральные диоды и стабилитроны

В качестве диода можно использовать любой из p-n переходов транзистора. Отличие интегрального диода от дискретного заключается в наличие паразитной емкости в транзисторной структуре.

В качестве диодов используются отдельные элементы n-p-n или p-n-p структур. Наибольшее применение нашли Э-Б, К-Б. Характеристики типов диодов приведены в таблице 2.

Параметр	Тип диода
БК-Э	Б-Э	БЭ-К	Б-К	Б-ЭК
Uпр, В	7-8	7-8	40-50	40-50	7-8
Iобр, мА	0,5-1	0,5-1	15-70	15-30	20-40
Сg, пФ	0,5	0,5	0,7	0,7	1,2
tперекл, нс

Таблица 2.

 

Рис. 14. Интегральные диоды

 

На рис. 14 представлен вид интегральных диодов (1 – металлические контакты; 2 – защитная пленка; 3 – полупроводниковый кристалл; 4 – изолирующий слой).

Для ГИС диоды изготовляются на n-n кристалле по диффузионной технологии. Технологический процесс:

1. Окисление исходной пластины с получением SiO₂.
2. Фотолитография с получением окон под диффузию.
3. Вторая фотолитография.
4. Диффузия донорной примеси для получения области n+.
5. Третья фотолитография – получение окон областями p и n+.
6. Осаждение омических контактов методом напыления.
7. Скрайбирование на отдельные кристаллы.

 

Стабилитроны получают в зависимости от напряжения стабилизации:

5¸10 В – используется обратное включение диода база-эмиттер в режиме пробоя;

3¸5 В – используется обратное включение диода база-эмиттер-коллектор;

Возможны случаи, когда стабилитрон рассчитывают на напряжение равное или кратное напряжению на открытом p-n переходе. В таких случаях используют один или несколько последовательно включенных диодов база-коллектор-эмиттер, работающих в прямом направлении.