Полевые транзисторы со встроенным каналом

 

Относятся к МДП (МОП) транзисторам. На схеме цифрами обозначены:

 

1 – площадка затвора из металла;

2 – окисел или диэлектрик (обычно SiO₂);

3 – встроенный канал n-типа;

4 – подложка р-типа.

Сток и исток – из полупроводника n-типа.

Увеличивая положительный потенциал на затворе, увеличиваем ширину канала 3 за счёт привлечения электронов из р-области 4. Для уменьшения ширины канала на затвор подаём отрицательное напряжение.