Биполярные транзисторы полупроводниковых ИМС

Биполярные транзисторы полупроводниковых микросхем формируются на полупроводниковой подложке p-типа в изолированных от нее локальных областях p-типа, называемых карманами. Изоляция карманов от подложки может быть осуществлена несколькими способами. Идеальной является изоляция с помощью пленки двуокиси кремния (рис. 6.7, а). Однако такой способ технологически сложен. Наиболее простым является способ изоляции с помощью обратно смещенного p-n-перехода (рис. 6.7, б), но такой способ несовершенен из-за наличия обратного тока. Основным методом изоляции в современных ИМС является метод комбинированной изоляции, сочетающий изоляцию диэлектриком и обратно смещенным p-n-переходом (рис. 6.7, в).