Активные элементы ГИМС

В качестве активных элементов в ГИМС применяют бескорпусные диоды, транзисторы и полупроводниковые ИМС, которые по способу их установки в микросхему разделяются на две группы: приборы с гибкими выводами и приборы с жесткими выводами. У компонентов с гибкими выводами (рис. 6.6, а) выводы сделаны из золотой проволоки диаметром 25 мкм и длиной 0,6-5,0 мм. Такие компоненты приклеиваются к подложке, а гибкие выводы соединяются с пленочными контактными площадками. Существенным недостатком таких конструкций является низкая производительность процесса сборки и невозможность автоматизировать этот процесс. Поэтому в современных ИМС используют активные компоненты с жесткими выводами. Существуют две разновидности таких элементов: с балочными выводами (рис. 6.6, б) и со сферическими выводами (рис. 6.6, е). Сферические выводы выполняются из золота, меди или сплавов и могут иметь форму шарика, цилиндра или усеченного конуса диаметром 0,05-2,0 мм.

Установка таких транзисторов осуществляется методом перевернутого кристалла, при котором происходит непосредственное соединение сферических выводов с контактными площадками, имеющими форму цилиндров диаметром 0,15-0,2 мм и высотой 10-15 мкм. Монтаж выполняется с помощью ультразвуковой или термокомпрессионной сварки. В транзисторах с балочными выводами жесткие выводы (балки) толщиной 10-15 мкм выступают за края кристалла на 200-250 мкм, что облегчает процесс их присоединения к контактным площадкам.