Диффузионные резисторы

Чтобы не усложнять технологию изготовления интегральной микросхемы, для создания резисторов можно использовать одну из областей транзисторной структуры: эмиттер, базу или коллектор рис.14.

Эмиттерная область содержит наибольшую концентрацию примесей и обладает наименьшим удельным сопротивлением слоя. Поэтому эмиттерная область пригодна для формирования диффузионных резисторов только с малым сопротивлением порядка 10 Ом. Из-за большой концентрации примесей температурные коэффициенты сопротивления таких резисторов будут малы.

Коллекторная область транзисторной структуры содержит наименьшую концентрацию примесей. Поэтому коллекторная область пригодна для формирования диффузионных резисторов с большем сопротивлением, но из-за малой концентрации примесей температурные коэффициенты сопротивления таких резисторов велики.

Для формирования диффузионных резисторов обычно используют базовую область транзисторной структуры. Без существенного увеличения площади, занимаемой диффузионным резистором могут быть созданы резисторы сопротивлением до 50 кОм. Такие диффузионные резисторы имеют удовлетворительные температурные зависимости сопротивления.

Диффузионный резистор представляет собой полоску с определенным типом электропроводности, отделенную от подложки интегральной микросхемы p-n-переходом. Этот переход должен быть смещен в обратном направлении для изоляции диффузионной полоски от подложки. Поэтому максимальное падение напряжения на резисторе не может быть больше напряжения смещения.

При создании интегральных микросхем, в том числе с диффузионными резисторами, в структуре микросхем могут образовываться паразитные элементы, диоды, транзисторы, емкости, которые могут нарушить нормальную работу.

Несмотря на имеющиеся недостатки, диффузионные резисторы широко используют в интегральных микросхемах, т.к. их формирование не требует дополнительных технологических операций и не удорожает микросхему.