Интегральные схемы на непроводящих подложках

Паразитные емкости между отдельными элементами и емкости между элементами и подложкой снижают быстродействие ИС. Эти емкости можно существенно уменьшить заменой полупроводниковой подложки на непроводящую, например сапфировую (структура “кремний на сапфире”, КНС). На сапфире (рис.10) выращивается эпитаксиальный слой n-кремния толщиной 1...З мкм. “Островки” создаются локальным травлением кремния до сапфировой подложки. В островках создаются транзисторные структуры. После этого воздушные зазоры между островками заполняются изолирующим поликристаллическим кремнием, на поверхности которого создаются соединения элементов схемы.