Полупроводниковый диод p-n переход.

Полупроводниковый прибор, имеющий одностороннюю проводимость, основанный на работе p-n перехода (рис.45). Ток через диод может проходить только в одном направлении.

Рисунок 45.

На границе раздела двух полупроводников с разной проводимостью, вследствие разной концентрации электронов и дырок, возникает диффузия, в результате которой образуется разность потенциалов (в области n – типа возникает (+) заряд, а в области р – типа (-) заряд). Имеет место напряженность поля Е_вн

Если приложить к р – n – переходу внешнее поле Е₀, то в зависимости от его направления, будет следующее:

1. Е₀ совпадает по направлению с Е_вн; Е = Е₀ + Е_вн, размеры ℓ увеличатся и тока не будет

2. Если Е₀ противоположно Е_вн, то Е = Е_вн – Е₀; Е_вн = Е₀; Е = 0 через переход будет протекать электрический ток.