Температурная стабилизация рабочей точки транзистора.
При нагревании рабочая точка смещается по нагрузочной прямой, что приводит к увеличению коллекторного тока Iк и уменьшению напряжения Uкэ. Это равносильно приоткрыванию транзистора. Поэтому основной задачей температурной стабилизации является синхронная с увеличением температуры стабилизация положения рабочей точки. На рис.а) показана схема с использованием терморезистора.
а) б)
При нагревании сопротивление терморезистора уменьшается, что приводит к общему уменьшению сопротивления включeных в параллель резисторов R6" и Rt. За счeт этого напряжение ибэ будет уменьшаться, эмиттерный переход подзапираться, и рабочая точка сохраняет своё положение на нагрузочной прямой.
Аналогичным образом происходит термостабилизация рабочей точки полупроводниковым диодом рис.б).
При увеличении температуры сопротивление диодов в обратном включении будет уменьшаться за счет термогенерации носителей заряда в полупроводнике. Общее сопротивление включенных параллельно резистора R6" и диода VD1 будет уменьшаться, что приведет к уменьшению напряжения Uбэ, транзистор подзапирается и рабочая точка сохраняет свое положение.
Недостатком схем с терморезистором и полупроводниковым диодом является то, что и терморезистор, и полупроводниковый диод должны подбираться по своим температурным свойствам для каждого конкретного транзистора. Поэтому наиболее часто применяют схемы температурной стабилизации отрицательной обратной связью (ООС) по постоянному току и напряжению.