Температурная стабилизация рабочей точки транзистора.

При нагревании рабочая точка смещается по нагрузочной прямой, что приводит к увеличению коллекторного тока Iк и уменьшению напряжения Uкэ. Это равносиль­но приоткрыванию транзистора. Поэтому основной задачей температурной стабилизации является синхронная с увеличением температуры стабилизация положения рабочей точки. На рис.а) показана схема с использованием терморезистора.

а) б)

При нагревании сопротивление терморезистора уменьшается, что приводит к общему умень­шению сопротивления включeных в параллель резисторов R6" и Rt. За счeт этого напряже­ние ибэ будет уменьшаться, эмиттерный переход подзапираться, и рабочая точка сохраняет своё положение на нагрузочной прямой.

Аналогичным образом происходит термостабилизация рабочей точки полупроводниковым диодом рис.б).

При увеличении температуры сопротивление диодов в обратном включении будет умень­шаться за счет термогенерации носителей заряда в полупроводнике. Общее сопротивление включенных параллельно резистора R6" и диода VD1 будет уменьшаться, что приведет к уменьшению напряжения Uбэ, транзистор подзапирается и рабочая точка сохраняет свое по­ложение.

Недостатком схем с терморезистором и полупроводниковым диодом является то, что и термо­резистор, и полупроводниковый диод должны подбираться по своим температурным свой­ствам для каждого конкретного транзистора. Поэтому наиболее часто применяют схемы тем­пературной стабилизации отрицательной обратной связью (ООС) по постоянному току и напряжению.