Указания к выполнению работы

 

К пункту 5.2.1. Подключить съемный планшет с исследуемым транзистором к универсальному лабораторному стенду. Подать питающее напряжение 220В, 50Гц на стенд и на приборы (генераторы ГН1 и ГН2).

К пункту 5.2.2. Поставить переключатель F1 в положение 1. С помощью потенциометра ГН2 установить ток базы I_Б = 100 мкА. Вращая рукоятку потенциометра ГН1 и изменяя напряжение источника питания от 0 до 15В снять изменения тока коллектора транзистора от напряжения коллектор-эмиттер . Результаты измерений занести в табл.5.1.

 

Таблица 5.1 - Выходные статические характеристики транзистора. I_К, мА.

Ток базы Iб, мкА	Напряжение коллектор-эмиттер ЕК, В

 

Произвести аналогичные измерения тока коллектора I_К при токах базы I_Б =200 мкА и 300мкА, результаты занести в табл.5.1. По данным табл.5.1 построить выходные статические характеристики.

Установить напряжение питания коллектора-эмиттера транзистора 0,5В потенциометром источника ГН1. Изменяя напряжение источника питания ГН2, снять зависимость тока базы I_Б от напряжение базы-эмиттера . Повторить измерения для E_К=10В. Результаты измерений занести в табл.5.2.

 

Таблица 5.2 - Входные статические характеристики транзистора. I_Б, мкА.

Напряжение коллектор-эмиттер EК, В	Напряжение база-эмиттер UБЭ, мВ
0,5

 

По данным табл. 5.2 построить входные статические характеристики.

К пункту 5.2.3. По показанию вольтметра PV3 источника питания ГН1 установить напряжение E_К=15В, после чего переключатель F1 установить в положение 2. По микроамперметру РА4 получить пять значений тока базы I_Б. Для каждого значения тока базы по вольтметру PV2 измерить напряжение U_БЭ, вольтметру PV3 – напряжение U_КЭ, миллиамперметру PA1 – ток I_К. Повторить эксперимент при положении 3 переключателя F1. Данные эксперимента занести в табл.5.3.

 

Таблица 5.3 - Динамические характеристики транзистора.

IБ, мкА
R1 = 1кОм	UБЭ, мВ
UКЭ, В
IК, мА
R2 = кОм	UБЭ, мВ
UКЭ, В
IК, мА

 

По данным табл.5.3 построить входные и выходные динамические характеристики транзистора для сопротивлений R1 и R2.

Нанести нагрузочные характеристики, полученные для R1 и R2 на семейство выходных статических характеристик.

К пункту 5.2.4. По данным измерений вычислить коэффициенты усиления по току для напряжения E_К = 15 В и построить характеристику .

К пункту 5.2.5. Для статического режима работы транзистора по данным табл.5.1, 5.2 и статических входных и выходных характеристик вычислить h–параметры исследуемого транзистора. Полученные данные сравнить со справочными.

К пункту 5.2.6. Используя значения h–параметров по формулам (5.8), вычислить коэффициенты усиления по току K_i и напряжению K_u, входное сопротивление R_вх, приняв Rн=1 кОм.