ПРИЛОЖЕНИЯ
П р и л о ж е н и е 1
Предельные параметры некоторых выпрямительных
диодов и столбов
Тип | Средний выпрямленный ток, А | Допустимое обратное напряжение, В | Диапазон температур, ºС |
КД105Б КД105В КД105Г КД209А КД209Б КД208А КД206А КД206В ДЗ02 ДЗ03 ДЗ04 ДЗ05 | 0,3 0,3 0,3 0,7 0,7 1,5 10,0 10,0 1,0 3,0 5,0 10,0 | -60…+55 -60…+55 -60…+55 -60…+55 -60…+55 -40…+85 -60…+70 -60…+70 -60…+50 -60…+50 -60…+50 -60…+50 | |
КЦ106А КЦ106Б КЦ106В КЦ106Г КЦ201А КЦ201Д | 0,01 0,01 0,01 0,01 0,1 0,5 | -60…+85 -60…+85 -60…+85 -60…+85 -60…+85 -60…+85 |
П р и л о ж е н и е 2
Параметры сглаживающих фильтров
Тип фильтра | Коэффициент сглаживания фильтра | Условия эффективной работы |
1. Емкостный | ||
2. Индуктивный | ||
3. Г-образный LC-фильтр | ; | |
4. П-образный LC-фильтр | Cф2 = (1…2)Cф1, | |
5. Г-образный RC-фильтр |
m – число пульсаций выпрямленного напряжения;
– угловая частота сети;
Rн – сопротивление нагрузки.
П р и л о ж е н и е 3
Входные и выходные характеристики транзисторов
МП25, МП25А, МП25Б
Германиевые высоковольтные
p-n-p-транзисторы предназначены для работы в усилителях и генераторах.
Корпус металлический, масса не более 2 г.
Uэк m , В – 40,
Iк m, мА – 300,
Pк m , мВт – 200,
Тm, ОС – +70.
Продолжение прил. 3
ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г
Германиевые n-p-n-транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных коле-баний. Корпус металлический, масса не более 2 г.
Uкэ m , В:
ГТ122А – 35;
ГТ122Б-Г – 20;
Iк m, мА – 20,
Pк m, мВт – 150,
Тm, ОС – +70.
Продолжение прил. 3
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Е
Кремниевые n-p-n-тран-зисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний.
Корпус пластмассовый, масса не более 0,18 г.
Uкэ m, В:
КТ315А – 25;
КТ315Б – 20;
КТ315В – 40;
КТ315Г – 35;
КТ315Е – 35;
Iк m, мА – 100,
Pк m, мВт – 150,
Тm, ОС – +100.
Окончание прил. 3
КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Ж
Кремниевые n-p-n-транзис-торы предназначены для усиления и генерирования колебаний. Корпус метал-лический, масса не более 0,5 г.
Uкэ m, В:
КТ301А, КТ301Ж – 20;
КТ301Б, КТ301В – 30;
Iк m, мА – 10;
Pк m, мВт – 150;
Тm, ОС – +85.
П р и л о ж е н и е 4
Параметры некоторых транзисторов
Транзистор | Uкэ доп, В | Iк доп, мА | Рк доп, мВт | h11, кОм | h21 | h22, мкСм |
п-р-п | ||||||
ГТ122А | 0,2 | |||||
ГТ122Б | 0,2 | |||||
КТ215Г | 0,9 | |||||
КТ215Д | 0,9 | |||||
КТ315А | 0,14 | 0,3 | ||||
КТ315В | 0,14 | 0,3 | ||||
КТ358В | 0,12 | 0,3 | ||||
ГТ404А | 0,15 | 2,5 | ||||
ГТ404В | 0,15 | 2,5 | ||||
КТ503А | 0,1 | 0,5 | ||||
р-п-р | ||||||
КТ203А | 0,3 | 0,5 | ||||
КТ203Б | 0,3 | 0,5 | ||||
КТ361А | 0,1 | |||||
КТ361Б | 0,1 | |||||
КТ361В | 0,1 | |||||
КТ501А | 0,1 | 0,3 | ||||
КТ501Г | 0,1 | 0,3 | ||||
ГТ115А | 0,2 | 0,5 | ||||
ГТ115Б | 0,2 | 0,5 |
Примечание. Для германиевых транзисторов принять напряжение база-эмиттер в режиме покоя 0,5 В, для кремниевых – 1 В.