ПРИЛОЖЕНИЯ

 

П р и л о ж е н и е 1

 

Предельные параметры некоторых выпрямительных
диодов и столбов

 

Тип Средний выпрямленный ток, А Допустимое обратное напряжение, В Диапазон температур, ºС
КД105Б КД105В КД105Г КД209А КД209Б КД208А КД206А КД206В ДЗ02 ДЗ03 ДЗ04 ДЗ05 0,3 0,3 0,3 0,7 0,7 1,5 10,0 10,0 1,0 3,0 5,0 10,0 -60…+55 -60…+55 -60…+55 -60…+55 -60…+55 -40…+85 -60…+70 -60…+70 -60…+50 -60…+50 -60…+50 -60…+50
КЦ106А КЦ106Б КЦ106В КЦ106Г КЦ201А КЦ201Д 0,01 0,01 0,01 0,01 0,1 0,5 -60…+85 -60…+85 -60…+85 -60…+85 -60…+85 -60…+85

 

 

П р и л о ж е н и е 2

 

Параметры сглаживающих фильтров

 

Тип фильтра Коэффициент сглаживания фильтра Условия эффективной работы
1. Емкостный
2. Индуктивный
3. Г-образный LC-фильтр ;
4. П-образный LC-фильтр   Cф2 = (1…2)Cф1,    
5. Г-образный RC-фильтр    

 

m – число пульсаций выпрямленного напряжения;

– угловая частота сети;

Rн – сопротивление нагрузки.

 

 

П р и л о ж е н и е 3

 

Входные и выходные характеристики транзисторов

 

МП25, МП25А, МП25Б

 

Германиевые высоковольтные
p-n-p-транзисторы предназначены для работы в усилителях и генераторах.

Корпус металлический, масса не более 2 г.

Uэк m , В – 40,

Iк m, мА – 300,

Pк m , мВт – 200,

Тm, ОС – +70.

 

 

 

Продолжение прил. 3

 

ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г

 

Германиевые n-p-n-транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных коле-баний. Корпус металлический, масса не более 2 г.

Uкэ m , В:

ГТ122А – 35;

ГТ122Б-Г – 20;

Iк m, мА – 20,

Pк m, мВт – 150,

Тm, ОС – +70.

 

 

Продолжение прил. 3

 

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Е

 

Кремниевые n-p-n-тран-зисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний.

Корпус пластмассовый, масса не более 0,18 г.

Uкэ m, В:

КТ315А – 25;

КТ315Б – 20;

КТ315В – 40;

КТ315Г – 35;

КТ315Е – 35;

Iк m, мА – 100,

Pк m, мВт – 150,

Тm, ОС – +100.

 

 

 

Окончание прил. 3

 

КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Ж

 

Кремниевые n-p-n-транзис-торы предназначены для усиления и генерирования колебаний. Корпус метал-лический, масса не более 0,5 г.

Uкэ m, В:

КТ301А, КТ301Ж – 20;

КТ301Б, КТ301В – 30;

Iк m, мА – 10;

Pк m, мВт – 150;

Тm, ОС – +85.

 

 

 

 

П р и л о ж е н и е 4

 

Параметры некоторых транзисторов

 

Транзистор Uкэ доп, В Iк доп, мА Рк доп, мВт h11, кОм h21 h22, мкСм
п-р-п            
ГТ122А 0,2
ГТ122Б 0,2
КТ215Г 0,9
КТ215Д 0,9
КТ315А 0,14 0,3
КТ315В 0,14 0,3
КТ358В 0,12 0,3
ГТ404А 0,15 2,5
ГТ404В 0,15 2,5
КТ503А 0,1 0,5
р-п-р            
КТ203А 0,3 0,5
КТ203Б 0,3 0,5
КТ361А 0,1
КТ361Б 0,1
КТ361В 0,1
КТ501А 0,1 0,3
КТ501Г 0,1 0,3
ГТ115А 0,2 0,5
ГТ115Б 0,2 0,5

 

 

Примечание. Для германиевых транзисторов принять напряжение база-эмиттер в режиме покоя 0,5 В, для кремниевых – 1 В.