КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ

 

1. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 50 В до Е_г2 = –50 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 20 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 10 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1 В, сопротивление утечки диода 100 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 10 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 20 В С_б = 10 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,6 В, p-n-переход считать плавным.

2. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 100 В до Е_г2 = -50 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 10 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 10 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1 В, сопротивление утечки диода 100 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 15 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 100 В С_б = 10 пФ. Контактная разность потенциалов
p-n-перехода равна 0,6 В, p-n-переход считать плавным.

 

Рис. 1. Диодный ключ	Рис. 2. Ключ на биполярном транзисторе	Рис. 3. Ключ на МДП-транзисторе

 

3. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 100 В до Е_г2 = –100 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 10 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 20 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1,2 В, сопротивление утечки диода 200 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 20 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 50 В С_б = 12 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,7 В, p-n-переход считать плавным.

4. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 30 В до Е_г2 = –30 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 5 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 15 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1,1 В, сопротивление утечки диода 200 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 10 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 100 В С_б = 8 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,6 В, p-n-переход считать плавным.

5. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 60 В до Е_г2 = -60 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 10 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 15 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1,1 В, сопротивление утечки диода 150 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 5 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 10 В С_б = 20 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,7 В, p-n-переход считать плавным.

6. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 20 В до Е_г2 = –20 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 25 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 5 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1,1 В, сопротивление утечки диода 400 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 6 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 50 В С_б = 7 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,6 В, p-n-переход считать резким.

7. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 40 В до Е_г2 = –40 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 25 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 8 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1 В, сопротивление утечки диода 400 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 10 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 40 В С_б = 20 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,6 В, p-n-переход считать резким.

8. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 50 В до Е_г2 = –30 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 20 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 10 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1,2 В, сопротивление утечки диода 300 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 20 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 50 В С_б = 15 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,6 В, p-n-переход считать резким.

9. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 100 В до Е_г2 = -100 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 16 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 10 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1,4 В, сопротивление утечки диода 500 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 25 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 200 В С_б = 8 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,7 В, p-n-переход считать резким.

10. Определить мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Е_г1 = 120 В до Е_г2 = –80 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 8 кГц, скважность импульсов напряжения e_г Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 20 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме U_пр.и = 1,3 В, сопротивление утечки диода 400 кОм, время жизни носителей в базе диода t_эфф = 30 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 200 В С_б = 10 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,7 В, p-n-переход считать резким.

11. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 50 В, R_н = 20 Ом, b = 20, отпирающее напряжение Е_г1 = 4 В, запирающее напряжение Е_г2 = –2 В,
R_г = 10 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 1 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 2 нФ, контактная разность потенциалов перехода 0,6 В, переход резкий. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,2 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 0,9 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 10 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

return false">ссылка скрыта

12. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 60 В, R_н = 30 Ом, b = 20, отпирающее напряжение Е_г1 = 5 В, запирающее напряжение Е_г2 = –3 В,
R_г = 20 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 1 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 2 нФ, контактная разность потенциалов перехода 0,6 В, переход резкий. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,2 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 0,9 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 2 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

13. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 50 В, R_н = 25 Ом, b = 25, отпирающее напряжение Е_г1 = 2 В, запирающее напряжение Е_г2 = –2 В,
R_г = 10 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 2 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 2 нФ, контактная разность потенциалов перехода 0,6 В, переход резкий. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,2 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 0,8 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 5 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

14. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 45 В, R_н = 30 Ом, b = 30, отпирающее напряжение Е_г1 = 3 В, запирающее напряжение Е_г2 = –3 В,
R_г = 15 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 2 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 2 нФ, контактная разность потенциалов перехода 0,7 В, переход резкий. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,2 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 0,8 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 1 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

15. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 40 В, R_н = 50 Ом, b = 25, отпирающее напряжение Е_г1 = 2 В, запирающее напряжение Е_г2 = –2 В,
R_г = 25 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 3 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 1 нФ, контактная разность потенциалов перехода 0,65 В, переход резкий. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,7 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 0,9 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 20 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

16. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 35 В, R_н = 10 Ом, b = 70, отпирающее напряжение Е_г1 = 5 В, запирающее напряжение Е_г2 = –3 В,
R_г = 40 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 2 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 500 пФ, контактная разность потенциалов перехода 0,8 В, переход плавный. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 1 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 1,2 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 10 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

17. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 30 В, R_н = 20 Ом, b = 50, отпирающее напряжение Е_г1 = 2 В, запирающее напряжение Е_г2 = –2 В,
R_г = 15 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 10 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 300 пФ, контактная разность потенциалов перехода 0,7 В, переход плавный. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,3 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 0,9 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 25 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

18. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 20 В, R_н = 10 Ом, b = 35, отпирающее напряжение Е_г1 = 4 В, запирающее напряжение Е_г2 = –3 В,
R_г = 20 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 5 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 1,5 нФ, контактная разность потенциалов перехода 0,7 В, переход плавный. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,4 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 1,1 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 4 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

19. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 60 В, R_н = 10 Ом, b = 40, отпирающее напряжение Е_г1 = 5 В, запирающее напряжение Е_г2 = –2 В,
R_г = 15 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 10 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 2 нФ, контактная разность потенциалов перехода 0,6 В, переход плавный. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,8 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 1,2 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 40 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

20. Рассчитать мощность потерь в транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 2. Е_п = 45 В, R_н = 15 Ом, b = 50, отпирающее напряжение Е_г1 = 5 В, запирающее напряжение Е_г2 = –3 В,
R_г = 25 Ом, модуль коэффициента передачи тока на частоте f₁ = 2 МГц барьерная емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении С_к = 600 пФ, контактная разность потенциалов перехода 0,7 В, переход плавный. Падение напряжения на насыщенном транзисторе U_кэ.нас = 0,5 В, входное напряжение в состоянии насыщения U_бэ.нас = 1,1 В. Временем задержки включения пренебречь. Транзистор переключается с частотой f = 8 кГц, скважность управляющих импульсов e_г Q = 2.

21. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 5 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 15 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –15 В, Е_п = 50 В, R_н = 10 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 10 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 0,1 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 2 В. Транзистор переключается с частотой f = 20 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

 

Рис. 4. Зависимости входной С_11И, проходной С_12И и выходной С_22И емкостей
МДП-транзистора от выходного напряжения (для задач 21– 25, 31–35)

 

22. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 10 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 12 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –12 В, Е_п = 40 В, R_н = 5 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 8 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 0,2 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 3 В. Транзистор переключается с частотой f = 10 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

23. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 20 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 10 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –10 В, Е_п = 30 В, R_н = 10 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 10 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 1 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 4 В. Транзистор переключается с частотой f = 50 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

24. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 10 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 15 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –15 В, Е_п = 40 В, R_н = 10 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 12 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 0,5 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 3 В. Транзистор переключается с частотой f = 40 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

25. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 5 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 15 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –10 В, Е_п = 30 В, R_н = 5 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 5 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 0,3 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 2 В. Транзистор переключается с частотой f = 25 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

26. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 5 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 25 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –25 В, Е_п = 100 В, R_н = 200 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 0,5 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 2 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 5 В. Транзистор переключается с частотой f = 25 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

27. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 10 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 25 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –20 В, Е_п = 90 В, R_н = 200 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 0,6 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 2,5 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 5 В. Транзистор переключается с частотой f = 5 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

 

 

Рис. 5. Зависимости входной С_11И, проходной С_12И и выходной С_22И емкостей
МДП-транзистора от выходного напряжения (для задач 26–30, 36–40)

28. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 15 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 20 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –20 В, Е_п = 80 В, R_н = 150 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 0,7 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 2 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 6 В. Транзистор переключается с частотой f = 10 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

29. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 20 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 20 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –15 В, Е_п = 70 В, R_н = 150 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 0,8 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 3 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 6 В. Транзистор переключается с частотой f = 40 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

30. Рассчитать мощность потерь в МДП-транзисторе, работающем в ключевом режиме в схеме на рис. 3. R_г = 25 Ом, амплитуда отпирающего напряжения Е_г1 = 15 В, амплитуда запирающего напряжения Е_г2 = –15 В, Е_п = 60 В, R_н = 100 Ом, крутизна проходной вольт-амперной характеристики транзистора S = 1 А/В, внутреннее сопротивление транзистора в открытом состоянии r_си.отк = 3 Ом, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 4 В. Транзистор переключается с частотой f = 20 кГц, скважность следования управляющих импульсов e_г Q = 2. Зависимости внутренних емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

31. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 20 нс. Е_п = 80 В, R_г = 5 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 2 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 2 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

32. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 10 нс. Е_п = 60 В, R_г = 10 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 1 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 3 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

33. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 5 нс. Е_п = 40 В, R_г = 25 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 0,5 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 4 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

34. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 10 нс. Е_п = 40 В, R_г = 1 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 0,1 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 2 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

35. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 15 нс. Е_п = 60 В, R_г = 15 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 0,2 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 3 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 4.

36. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 100 нс. Е_п = 160 В, R_г = 20 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 2 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 6 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

37. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 20 нс. Е_п = 120 В, R_г = 10 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 2 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор =Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 2 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 5 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

38. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 10 нс. Е_п = 100 В, R_г = 15 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 1 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 6 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

39. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 5 нс. Е_п = 80 В, R_г = 5 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 1 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 5 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.

40. Определить, откроется ли транзистор (рис. 3) вследствие эффекта du/dt, если время нарастания напряжения u_си при выключении составляет 5 нс. Е_п = 60 В, R_г = 50 Ом, падение напряжения на открытом транзисторе U_си.нас = 0,5 В, пороговое напряжение отпирания транзистора U_зи.пор = 4 В, зависимости емкостей транзистора от напряжения приведены на рис. 5.