КТ358А, КТ358Б, KT358B

Кремниевые планарно-эпитаксиальные высокоча­стотные усилительные транзисторы

n-p-n. Предназначены для использования в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при Θокр от -40 до +85 ºС. Масса не более 0,2 г.

Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы

Обозначение Режим измерения КТ358А КТ358Б КТ358В
h21э Uкэ=5,5 В; Iэ=20 мА 10...100 25...100 50...280
fгр, МГц Uкб= 10 В; Iэ = 5 мА ≥80 ≥120 ≥120
Iкбо, мкА Uкб = UKE. max <10 <10 <10
Iэбо, мкА Uэб = 4 В <10 <10 <10
Uкэ.нас, В Iк = 20 мА; Iб = 2 мА <0,8 <0,8 <0,8
Uбэнас. В Iк = 20 мА; Iб = 2 мА <1,1 <1.1 <1.1
Uкб. max, В -40°С<Θокр<85оС
UкэRmaх, В То же, при Rбэ ≤100 Ом
Uэб max, В -40°С<Θокр<850С
Iк.max, мА -40°С<Θокр<85°С
I к.и.max, мА - 40°С<Θокр<85°С
Ркmах, мВт   100' 100' 100'
Рк.и.max, мВт То же, при tи < 1 мкс
         
Θперех. max ºС -
Rперех.окр °С/Вт - 0,7 0,7 0,7

1 В интервале температур от -40° до +50 °С. При температуре окружающей среды от 50° до 85 °С максимально допустимая мощность определяется по формуле: Ркmах = 50 +(85 - Θокр)/0,7, мВт.