Обработка результатов измерений

4.1 Построить графики статических входных (базовых) характеристик.

При построении ось тока базы установить на минимальное значение напряжения Б-Э, полученное при U_К = 0,1 В и I_б = 5 мкА рис 2.

Определить h-параметры транзистора при нормальной (27ºС) и повышенной (60ºС) температурах.

- Для определения параметра h₁₁ на средине линейного участка входной характеристики, соответствующей напряжению U_КЭ = 5В, построить характеристический прямоугольный треугольник. Вершины треугольника расположить в точках I_б 60 и 100 мкА. h₁₁=DU_бЭ/DI_б при U_КЭ=Const.

- Определить параметр h₁₂=DU_бЭ/DU_К. Для этого провести горизонтальную линию, соответствующую току I_б = 60 мкА. Точки пересечения этой линии с характеристиками для U_КЭ = 5В и U_КЭ = 0,1В спроецировать на ось напряжения. Получим два значения напряжения на базе. Вычтя из большего меньшее значение, получим DU_бЭ. DU_К = (5 В – 0,1 В).

- Определить сопротивление цепи базы постоянному току R_б = U_бЭ/I_б. Данные взять из предыдущего вычисления.

- Вычислить температурный коэффициент напряжения цепи базы
ТКН = DU_бЭ/DТ⁰С.

4.2 Построить графики статических выходных (коллекторных) характеристик.

- На линейном участке выходной характеристики, соответствующей току базы I_б = 60 мкА, построить характеристический треугольник и определить параметр h₂₂=DI_К/DU_КЭ при I_б = Const. Вершины треугольника должны совпадать со значениями в таблице 2 Uк = 5 В и Uк = 15 В.

DU_КЭ = 10 В. Вершины катета, параллельные ости тока, спроецировать на эту ось и определить DI_К.

- При напряжении на коллекторе U_КЭ = 5В провести вертикальную линию, которая пересечет характеристики. Выделить две точки с характеристиками I_б = 60 мкА и 40 мкА, спроецировать эти точки на ось тока коллектора, определить DI_К. Вычислить параметр h₂₁ = В = DI_К/DI_б
DI_б = (60 мкА – 40 мкА) = 20 мкА.

Внимание. При вычислениях следует учитывать, что ток коллектора выражен в миллиамперах, а ток базы – в микроамперах. 1 мА = 1000 мкА (μА). Поэтому В >> 1.

 

 

- Определить сопротивление коллекторной цепи транзистора постоянному току R_K0 = U_К /I_К в точке U_К = 5 В и I_б = 60 мкА.

- Вычислить влияние изменения температуры на коэффициент усиления В = h₂₁. Процедура аналогична определению коэффициента В, только приращение DI_б взять между ‘горячими‘ характеристиками при напряжении Uк = 5 В. Вычислить температурный коэффициент параметра В

α = (DВ/В)/(DТ⁰С) 100% [%/⁰С],

где DВ – изменение коэффициента В под действием изменения температуры DТ.

 

мкА I_б Uк = 0,1 В 5 В

100 - 60⁰С 27⁰С

∆I_б Построить характеристи- ΔТ ческий прямоугольный

60 * треугольник на линейной _{_} части ВАХ так, чтобы

его вершины совпали с

данными таблицы.

_{+ +} U_бэ

600 640 680 700 мB

∆U_бэ ∆U_бэ

Рис.2. Примерный вид входной ВАХ биполярного транзистора

 

мА I_к

10 I_б = 60 (Т= 60⁰С)

∆I_к I_б = 60 (Т= 20⁰С)

∆I_К

I_б = 40

 

_{+ +} U_к

5 10 15 20 В

∆U_к

Рис.3.Примерный вид семейства коллекторных характеристик