Кристалл (кристалдар)

Crystal (гр. krystallos, бастапқы мағынасы — мұз)

Үш өлшемді периодтық атомдық құрылысымен, атомдардың орналасуындағы қашық реттілігімен, және де тепе-теңдік шарттарда түзілгенде дұрыс симметриялық көпжақтардың табиғи формасына ие болуымен ерекшеленетін қатты денелер.

— квазикристалл / quasicrystal — кристалдық торды құрамайтын атомдардан тұратын, бірақ түсуші сәулені когерентті шашырату қабілетінен байқалатын алыс координациялық реттілікке ие қатты дене.

— идеал кристалл / perfect crystal —құрамында қоспасы және құрылымдық ақаулары (вакансия, түйінаралық атомдар, дислокация және т.б.) болмайтын шексіз монокристалдан тұратын физикалық модель.

— иондық кристалдар / ionic crystal — атомаралық байланысы иондық (электростатикалық) сипаттағы кристалдар; олар бір атомды, немесе көп атомды иондардан тұруы мүмкін.

— молекулалық кристалдар / molecular crystal — бір-бірімен әлсіз ван-дер-ваальс күштерімен немесе сутектік байланыстармен байланысқан молекулалардан тұратын кристалдар.

— жіп тәрізді кристалдар / whisker, filamentary crystal — бір бағыттағы өлшемдері басқа бағыттарға қарағанда әлдеқайда үлкен болытан монокристалдар.

— паракристалл / paracrystal — араласа орналасқан кристалдық және аморфтық облыстары бар молекулалық кристалл.

— — поликристалл / polycrystal — кейде дұрыс емес формасы үшін кристалиттер немесе кристалдық дәндер деп аталатын, қандай да бір заттың ұсақ кристалдарының агрегаты. Көптеген табиғи және жасанды материалдар (минералдар, металдар, қорытпалар, керамикалар және т.б.) поликристалдар болып келеді.

Микроско́п

Microscope

Объектінің үлкейтілген бейнесін алуға арналған құрал.

— атомды-күштік микроскоп / atomic-force microscopeкантилевер инелерінің (зондының) зерттелетін үлгі бетімен әркеттесуіне негізделген, ажырату қабілеті жоғары, сканерлеуші зондылы микроскоп. Көбінесе бұл әрекеттесуді Ван-дер-Ваальс күшінің есебінен кантилевердің беттен тебілуі немесе оған тартылуы деп түсінеміз. Бірақ туннельді және арнайы кантилеверлермен беттің электрлік және магниттік қасиеттерін зерттеуге болады. Сканерлеуші туннельді микроскоптан ерекшелігі мұнымен өткізгіш беттерді де және өткізбейтін беттерді де, тіпті сұйық қабаты арқылы да зерттеуге болады. Бұл органикалық молекулалармен жұмыс істеуге мүмкіндік береді. Атомдық-күштік микроскоптың кеңістіктегі ажыратқыштығы кантилевердің өлшеміне және оның ұшының қисықтығына байланысты. Ажыратқыштық горизонталь бағытта атомдық өлшемге және вертикаль бағытта одан жоғары болады.

— иондық микроскоп / ion microscopeбейне алу үшін термоионды немесе газды разрядты иондық көзбен жасалынатын иондық шоқ қолданылатын электронды оптикалық құрал.

— ионды өрістік микроскоп / field-ion microscope қатты дене бетінің бірнеше миллион есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз ионды-оптикалық құрал.

— электронды өрістік микроскоп / field-electron microscopeқатты дене бетінің 10 – 10 есе ұлғайтылған кескінін алуға арналған линзасыз электронды оптикалық құрал.

— электронмен жарықтандырылатын микроскоп / transmission electron microscopeзерттелетін объектіні жарықтандыру үшін үдетілген электрондар шоғыры қолданылатын микроскоп.

— растрлы микроскоп(сканерлеуші) / scanning microscope орналасу қалыбы (сканерлеу) электромагнитті өрістің көмегімен басқарылатын, қызметі алдын ала қалыптастырылған жұқа электрондық сәулені қолдануға негізделген, электронды микроскоп. Электрон шоқтарының әсерінен берілген материалға және оның құрылысына тән бірнеше процестер жүзеге асады. Оларға бірінші ретті электрондардың шашырауы, екінші ретті электрондардың шығарылуы (эмиссиясы), объект арқылы өтіп кеткен электрондардың пайда болуы, рентген сәулелерінің пайда болуы жатады. Бірқатар арнайы жағдайларда (люминесценцияланушы материалдарда, жарылай өткізгіштерде) жарықтың сәулеленуі болады. Объектіден шығатын электрондарды, сонымен қатар сәулеленудің басқа түрлерін (рентгендік, жарықтық) тіркеу зерттелетін объекті микроучаскілерінің әр түрлі қасиеттері туралы мәлімет береді. Электронды зондтың ашылуымен синхронды түрде үлкен кинескоптың сәулесі ашылады.

— растрлы микроскоп (туннельді) / scanning tunnel microscopez арақашықтығы шамамен 0,1 нм болатын өткізгіш беті мен металл ұшының арасындағы(олардың арасындағы потенциалдар айырымы шамамен 1 В) туннельді токтың туындауына негізделген электронды микроскоп. Токты тұрақты етіп ұстап тұрып және ұшты бет бойымен қозғалтқан кезде (сканерлегенде) z-тің өзгеруі есебінен атом және молекула өшемдеріне дейінгі дәлдіктегі өткізгіш бетінің рельефін алуға болады, яғни беттің атомдық құрылысын, жеке молекулалардың құрылысын, адсорбцияны, беттік химиялық процестерді және басқа да қасиеттерді зерттеуге болады.