Полупроводники

 

1. Собственными полупроводниками называют вещества, в которых … можно пренебречь влиянием примеси.

2. Что такое дырка как носитель заряда в полупроводнике?

3. Подвижность дырок … подвижности электронов.

4. При рассмотрении большого количества носителей заряда процесс рекомбинации носителей заряда происходит ….

5. Процесс потери электроном энергии и переход его в связанное состояние называется ….

6. Возбуждение электрона из валентной зоны или с примесного уровня, сопровождающееся появлением дырки, называется ….

7. Равновесная концентрация носителей заряда ….

8. Число электронов в зоне проводимости примерно равно числу дырок в валентной зоне для … полупроводника.

9. Общее число носителей заряда, образовавшихся под воздействием тепла в собственном полупроводнике, фактически будет равно ….

10. Энергия активации электрона в собственных полупроводниках равна ….

11. На величину электропроводности полупроводников влияют ….

12. Тип электропроводности полупроводников изменяют ….

13. Примеси с валентностью большей, чем у собственного полупроводника называются ….

14. Примеси с валентностью меньшей, чем у собственного полупроводника называются ….

15. Примесь в полупроводнике, как и любой дефект кристаллической решетки….

16. Донорная примесь создаёт примесный уровень, который располагается ….

17. Акцепторная примесь создаёт примесный уровень, который располагается ….

18. Обменное взаимодействие между атомом примеси и соседним атомом полупроводника ….

19. Дырки, формирующиеся на донорном уровне ….

20. Электроны, попавшие на акцепторный уровень ….

21. Ионы примеси в обеднённой зоне полупроводника образуют область ….

22. Угол наклона зависимости определяется ….

23. Участок 1 – 2 на графике называется ….

24. Участок 2 – 3 на графике называется ….

25. Участок 3 – 4 на графике называется ….

26. В какой из зон температурной зависимости электропроводности примесных полупроводников желательно располагать рабочую зону полупроводниковых приборов?

27. Выберите понятия, характеризующие кристалл типичного элементарного полупроводника.

28. По сравнению с кремнием ширина запрещённой зоны германия ….

29. Si обладает удельным сопротивлением … Ge при равных условиях.

30. Элементарные полупроводники типа Si и Ge легируются элементами … групп таблицы Менделеева

31. Выберите причины, по которым полупроводниковые приборы из Si распространены больше чем из Ge.

32. Что представляет собой метод Чохральского?

33. Что представляет собой эпитаксия?

34. Чем отличается автоэпитаксия от гетероэпитаксии?

35. К эпитаксии со средой-носителем относят ….

36. К эпитаксии без среды-носителя относят ….

37. Нитриды, фосфиды, арсениды, антимониды бора, алюминия, галлия, индия относятся к полупроводниковым соединениям типа ….

38. Сульфиды, селениды и теллуриды цинка, кадмия и ртути относятся к полупроводниковым соединениям типа ….

39. Халькогениды свинца относятся к полупроводниковым соединениям типа ….

40. Карбид кремния относится к полупроводниковым соединениям типа ….

41. Внутри групп полупроводниковых соединений типа А^IIIВ^V ширина запрещённой зоны с ростом суммарного атомарного номера и атомных масс компонентов ….

42. Внутри групп полупроводниковых соединений типа А^IIIВ^V металлические свойства с ростом суммарного атомарного номера и атомных масс компонентов ….

43. Легирующими примесями для полупроводниковых соединений типа А^IIIВ^V являются элементы … групп.

44. Легирующими примесями для полупроводниковых соединений типа А^IIВ^VI являются элементы … групп.

45. Легирующими примесями для полупроводниковых соединений типа А^IVВ^VI являются элементы … групп.

46. Легирующими примесями для полупроводниковых соединений типа А^IVВ^IV являются элементы … групп.

47. Область применения нитридов, фосфидов, арсенидов, антимонидов бора, алюминия, галлия, индия ….

48. Область применения халькогенидов цинка, кадмия и ртути ….

49. Область применения халькогенидов свинца ….

50. Область применения карбида кремния ….