Биполярные и полярные транзисторы.

 

 

 

Рис. Устройство n-p-n транзистора (а) , его схематическое изображение (б) и схема замещения (в). Устройство p-n-p- транзистора (г), его схематическое изображение(д) и схема замещения (е).

 

Для эквивалентной схемы с заменой транзистора на источник тока коллектора:

 

 

Уравнения транзистора в Н-параметрах :

 

 

 

Рис. Простейшая схема замещения биполярного транзистора (а), схема усилительного каскада (б) и расчетная схема (в)

 

 

 

 

Рис. схема замещения биполярного транзистора в Н-параметрах.

Здесь:

При холостом ходе на выходе iб=0 и

 

 

И при коротком замыкании на выходе uкэ=0

H₁₂ – обратная передача по напряжению,

Н₂₂ –выходная проводимость,

Н₁₁ – входное сопротивление,

Н₂₁ – прямая передача по току

 

Условие насыщения транзистора :

Коэффициент насыщения:

Насыщение на насыщенном ключе:

 

 

 

Рис. Схема замещения транзисторного ключа в режиме насыщения и и в режиме отсечки.

 

 

рис. процессы при включении (а) транзистора и выключении (б)

 

 

 

Рис. Изменение формы импульса при работе транзисторного ключа.

Рис. Схема замещения на высокой частоте и частотная зависимость коэффициента передачи тока базы.

 

 

Частотно зависимый коэффициент:

Где βо- коэффициент передачи тока базы на низкой частоте, ω_β-предельная частота коэффициента передачи тока базы.

Модуль частотной зависимости коэффициента передачи тока базы:

 

Сдвиг выходного сигнала относительно входного: