Типы тиристоров и принцип действия

Тиристор — это электропреобразовательный полупроводниковый прибор с тремя или более p-n-переходами, обладающий двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой проводимости (тиристор закрыт) и состоянием высокой проводимости (тиристор открыт). Вольт-амперная характеристика тиристора имеет участок отрицательного сопротивления. При включении в цепь переменного тока тиристор открывается, пропуская ток в нагрузку при достижении мгновенным значением напряжения определённого уровня, либо при подаче отпирающего напряжения на управляющий электрод.

Основными типами являются диодные (рисунок 2.27, а) и триодные (рисунок 2.27, б - г) тиристоры.

Перевод прибора из закрытого состояния в открытое в электрической цепи осуществляется внешним воздействием на него. К числу факторов, наиболее широко используемых для отпирания тиристоров, относится воздействие напряжением (током) или светом (фототиристоры, рисунок 2.27, г).

В диодных тиристорах (динисторах или неуправляемых тиристорах) переход прибора из закрытого состояния в открытое связан с тем, что напряжение между анодом и катодом достигает некоторой граничной величины, являющейся параметром прибора. В триодных тиристорах управление состоянием прибора производится по цепи третьего - управляющего электрода. По цепи

а - динистор; б - однооперационный тиристор; в - двухоперационный тиристор; г - фототиристор; д - симистор

Рисунок 2.27 - Условные графические обозначения тиристоров

управляющего электрода при этом могут выполняться либо одна, либо две операции изменения состояния тиристора. В зависимости от этого различают одно- и двухоперационные тиристоры.

В однооперационных тиристорах (см. рисунок. 2.27, б) по цепи управляющего электрода осуществимо только отпирание тиристора. С этой целью на управляющий электрод подается положительный относительно катода импульс напряжения. Запирание однооперационного тиристора, а также динистора производится по цепи анода изменением полярности напряжения анод - катод. Двухоперационные тиристоры допускают как отпирание, так и запирание прибора по цепи управляющего электрода. Для запирания на управляющий электрод подается отрицательный импульс напряжения. В фототиристорах (см. рисунок 2.27, г) отпирание прибора производится с помощью светового импульса.

Все перечисленные приборы выполняют функцию бесконтактного ключа с односторонней проводимостью тока. Прибор, проводящий ток в обоих направлениях, называют симметричным тиристором (симистором). По своему назначению симистор (см. рисунок 2.27, д) призван выполнять функции двух обычных тиристоров включенных встречнопараллельно.

Анализ принципа действия указанных типов тиристоров проведем на примере достаточно подробного рассмотрения работы однооперационного тиристора (см. рисунок 2.27, б), как наиболее распространенного, а для других типов покажем их особенности.

Тиристор представляет собой четырехслойную полупроводниковую структуру типа р-п-р-п с тремя р-п-переходами (рисунок 2.28), в которой р₁ -слой выполняет функцию анода, а п₂-слой - катода.

Рисунок 2.28 - Полупроводниковая структура тиристора

Управляющий электрод связан с р₂-слоем структуры. Основной материал в производстве тиристоров - кремний. Четырехслойная структура обычно создается по диффузионной технологии. Исходным материалом является кремниевая пластина п-типа толщиной 70…600 мкм (в зависимости от типа тиристора).

Сначала методом диффузии акцептор-

ной примеси с обеих сторон пластины создают транзисторную структуру типа р₁-п₁-р₂. Затем после локальной обработки поверхности р₂-слоя вносят донорную примесь в р₂-слой для получения четвертого п₂-слоя.

Для удобства изучения процессов, протекающих в тиристоре, представим его в виде структуры, изображенной на рисунке 2.29. Рассмотрение проведем с помощью вольт-амперной характеристики тиристора (рисунок 2.30) при включении внешних напряжений в соответствии с рисунком 2.29.

Рисунок 2.29 - Составляющие токов в тиристоре при включении внешних напряжений

Рассмотрим обратную ветвь вольт-амперной характеристики тиристора, которая снимается при токе управления I_у = 0. Обратному напряжению тиристора (Е < О, U_ак < 0) соответствует подключение внешнего напряжения отрицательным полюсом к аноду и положительным - к катоду. Полярность напряжения на тиристоре и его распределение по переходам структуры показаны

на рисунке 2.29 без скобок. Приложение обратного напряжения к тиристору вызывает смещение среднего перехода П₂ в прямом направлении, а двух крайних переходов П₁ и П₃ - в обратном. Переход П₂ открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение U_b распределяется главным образом по переходам П₁ и П₃. Однако, в процессе изготовления тиристора обеспечивается достаточно высокая концентрация примеси в р₂- и п₂-слоях по сравнению с концентрацией в слоях р₁ и п₁, и переход П₃ получается узким. С приложением обратного напряжения переход П₃ вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих напряжений U_b. Обратное напряжение, по существу, прикладывается к переходу П₁, т. е. обратная ветвь вольт-амперной характеристики тиристора (рисунок 2.30) представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики перехода П₁.

Таким образом, способность тиристора выдерживать обратное напряжение возлагается на р-п-переход П₁. Проведенный ранее анализ обратной ветви вольт-амперной характеристики диода целиком применим к этому р-п-переходу. В частности, здесь аналогично решается задача получения лавинной характеристики для защиты тиристора от перенапряжений.

Проанализируем поведение тиристора при подведении к нему напряжения в прямом направлении (Е > О, U_ак > 0). Полярность внешнего напряжения на тиристоре и переходах структуры показана на рисунке 2.29 в

скобках. Крайние переходы П₁, П₃ смещаются в прямом направлении, а средний переход П₂ - в обратном. В связи с этим напряжение на приборе оказывается приложенным практически к переходу П₂. Вначале рассмотрим случай отсутствия тока управления
(I_у = 0). Этот режим, как и предыдущий, справедлив и для динистора.

Анализ процессов в тиристоре при U_ак > 0 удобно прово-

Рисунок 2.30 - Вольт-амперная характеристика тиристора

дить, воспользовавшись так называемой двухтранзисторной аналогией. При наличии на тиристоре напряжения в прямом направлении его можно представить в виде двух транзисторов типов р-п-р и п-р-п: транзистора T₁ типа р₁-n₁-p₂ и транзистора Т₂ типа n₂-р₂-п₁(см. рисунок 2.29). Эмиттерным переходом для первого транзистора является переход П₁, для второго транзистора Т₂ - переход П₃. Переход П₂ служит общим коллекторным переходом обоих транзисторов. При этом полярность напряжений на переходах соответствует той, какая требуется для работы обоих транзисторов в усилительном режиме: эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, а коллекторный - в обратном.

Представив тиристор в виде сочетания транзистора Т₁ с коэффициентом передачи тока α₁ и током эмиттера I_Э1 и транзистора Т₂ с коэффициентом передачи тока α₂ и током эмиттера I_Э2, нетрудно показать составляющие тока в приборе (см. рисунок 2.29). Составляющая (1 - α₁) I_Э1 - это ток базы транзистора Т₁, составляющая α₁I_Э1 - ток коллектора этого транзистора. Токи транзистора Т₁ обусловлены главным образом движением дырок через п₁-базу. В транзисторе Т₂ ток переносится в основном электронами (пунктирные стрелки на рисунке 2.29). Его составляющие (показаны на рисунке 2.29 сплошными линиями) представляют собой: (1 - α₂)I_Э2 - ток базы, α₂I_Э2 - ток коллектора. Поскольку коллекторный переход смещен в обратном направлении, через него протекают также составляющие, обусловленные неосновными носителями заряда: дырки п₁-области создают ток I_кр, электроны р₂-области - ток I_кп. Токи I_кр и I_кп образуют суммарный ток I_к (см. рисунок 2.29).

Одним из факторов, влияющих на прямую ветвь вольт-амперной характеристики тиристора, является зависимость коэффициентов α₁ и α₂ от тока. Примерный вид этой зависимости показан на рисунке 2.31.

Рисунок 2.31 – Зависимость коэффициентов α₁ и α₂ от тока

Большее значение коэффициента α₂ по сравнению с α₁ объясняется меньшей толщиной р₂-базы по сравнению с п₁-базой (см. рисунок 2.29). В связи с этим п₁ -базу часто называют толстой, а р₂ -базу - тонкой. Требуемая зависимость коэффициентов α от тока создается в процессе изготовления приборов. Так, например, широко применяется шунтирование перехода П₃, что приводит к уменьшению эффективности эмиттера транзистора Т₂ и коэф-

фициента α₂ в области малых токов.

После выяснения составляющих токов тиристора и установления зависимости коэффициентов α от тока можно рассмотреть прямую ветвь вольт-амперной характеристики прибора (рисунок 2.30).

На начальном участке 0 - б, соответствующем малым значениям прямого напряжения U_а, ток I_а мал. Коэффициенты α₁ и α₂ близки к нулю. Близки к нулю также составляющие токов α₁ I_Э1 и α₂ I_Э2 перехода П₂. Ток через переход П₂, а следовательно, и ток через тиристор I_а будет равен току I_к, т. е. в данном случае будет определяться обратным (тепловым) током I_к0 перехода П₂. Таким образом, начальный участок 0 - б прямой ветви вольт-амперной характеристики тиристора представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики р-п-перехода П₂, смещенного в обратном направлении.

По мере роста анодного напряжения, а следовательно, и напряжения на коллекторном переходе увеличиваются ток I_к и анодный ток через тиристор. Причина возрастания тока I_к связана, как известно, с увеличением тока утечки по поверхности перехода и умножением в нем носителей заряда. Увеличение тока через прибор сопровождается повышением коэффициентов α₁ и α₂. С некоторого значения тока I_а необходимо учитывать составляющие токов транзисторов α₁ I_Э1 и α₂ I_Э2, протекающие через коллекторный переход. Вследствие того, что повышение напряжения U_a приводит к увеличению тока I_к, а также составляющих α₁ I_Э1 и α₂ I_Э2, на вольт-амперной характеристике появляется участок б - в с более сильной зависимостью тока I_а от напряжения U_а.

Ток I_a можно найти, определив ток I_п2, протекающий через коллекторный переход:

Iп2 = α1 IЭ1 + α2 IЭ2 + Iк

(2.10)

С учетом того, что в любом сечении прибора при I_у = 0 протекает один и тот же ток I_а (I_п2 = I_Э1 = I_Э2 = I_а) соотношение (2.10) приобретает вид

Iп2 = Iа = (α1 + α2 ) Iа + Iк

(2.11)

откуда

(2.12)

Выражение (2.12) подтверждает наличие участков 0 - б и б - в на вольт-амперной характеристике тиристора. При малых напряжении U_a и токе I_а (участок 0 - б) сумма коэффициентов передачи тока α₁ + α₂ ≈ 0, анодный ток I_а ≈ I_к. На участке б - в ток I_а возрастает за счет увеличения тока I_к и суммы α₁ + α₂, которая, однако, не достигает единицы на этом участке.

Точка в является граничной, в которой создаются условия для отпирания тиристора. Напряжение на приборе в точке в называется напряжением переключения U_пер.

Рассмотрим более подробно процесс перехода тиристора из закрытого состояния в открытое (участок в - г). При этом объясним сущность двух явлений, связанных с отпиранием прибора: 1) уменьшение напряжения на переходе П₂ и тиристоре; 2) действие внутренней положительной обратной связи в приборе, благодаря которой процесс имеет скачкообразный характер.

Причиной перехода тиристора из закрытого состояния в открытое является повышение роли составляющих α₁ I_Э1 и α₂ I_Э2 и соответственно их суммы (α₁+ α₂) I_а в токе через переход П₂ по сравнению с током I_к. По мере приближения к точке в увеличение тока через прибор происходит главным образом за счет составляющих α₁ I_Э1 и α₂ I_Э2, а не за счет увеличения тока
I_к = I_к0, вызываемого повышением напряжения на переходе П₂. В точке в роль составляющих α₁ I_Э1 и α₂ I_Э2 и их суммы (α₁+ α₂) I_а столь значительна в балансе составляющих токов (2.11), протекающих через переход П₂, что дальнейшее увеличение тока I_а возможно лишь за счет уменьшения тока I_к, а следовательно, уменьшения обусловливающего этот ток напряжения на переходе П₂ и тиристоре U_а (отпирание прибора).

Уменьшение напряжения на переходе объясняется тем, что увеличение составляющих токов α₁ I_Э1 и α₂ I_Э2 через переход П₂ вызывает увеличение потока электронов в п₁-базу и дырок в р₂-базу и соответственно появление в базах избыточных носителей заряда, снижающих потенциальный барьер коллекторного перехода. Одновременно с этим избыточные носители заряда в базах снижают потенциальные барьеры эмиттерных переходов П₁ и П₃, вызывая дополнительную инжекцию носителей заряда. Это приводит к еще большему возрастанию коэффициентов α₁ и α₂ и заполнению носителями зарядов обеих баз тиристора. В приборе действует внутренняя положительная обратная связь, приводящая к лавинообразному развитию процесса его отпирания.

Участок г - д соответствует открытому состоянию тиристора. В точке г напряжение на переходе П₂ равно нулю, ток I_к = 0, сумма коэффициентов
α₁ + α₂ = 1. Ток через переход П₂ равен сумме составляющих α₁ I_э1 и α₂ I_э2 Напряжение на приборе U_а в точке г равно сумме напряжений на переходах П₁ и П₃, смещенных в прямом направлении.

При перемещении по кривой от точки г к точке д ток через тиристор возрастает, что увеличивает коэффициенты α₁ и α₂, а также их сумму
(α₁ + α₂ > 1). Баланс составляющих токов через коллекторный переход достигается изменением полярности напряжения на переходе П₂ ("переполюсовка" коллекторного перехода на рисунке 2.29), вследствие чего ток I_к изменяет направление. Иными словами, коллекторный переход под действием избыточных зарядов - дырок в р₂-базе и электронов в п₁-базе, создаваемых потоками носителей соответственно первого и второго транзисторов, переводится в проводящее состояние, обеспечивая встречную инжекцию носителей заряда (ток I_к теперь уже не является обратным током коллекторного перехода П₂).

Таким образом, коллекторный ток I_к играет существенную роль в работе тиристора, обеспечивая баланс составляющих токов через коллекторный переход. Необходимая величина I_к устанавливается благодаря изменению напряжения на коллекторном переходе под действием зарядов, накапливаемых в базах тиристора.

На участке г - д все три р-п-перехода прибора находятся под прямым напряжением смещения. Напряжения на переходах П₁, П₃ противоположны по знаку напряжению на переходе П₂. В связи с этим падение напряжения на приборе (0,75…1,5 В) примерно равно падению напряжения на одном переходе (как в диоде). Увеличение падения напряжения на тиристоре при движении по кривой от точки г к точке д объясняется повышением напряжения на переходах и ростом падения напряжения в слоях полупроводниковой структуры с увеличением тока.

Рассмотрим поведение тиристора при наличии тока управления (I_у > 0). С этой целью получим выражение для его анодного тока. При I_у > 0 также справедливо выражение (2.10), определяющее ток коллекторного перехода по его составляющим. Как и в предыдущем случае, I_п2 = I_э1 = I_а, но в ток I_э2 будет входить I_у, поэтому I_э2 = I_а + I_у.

С учетом приведенных соотношений решение (2.10) относительно I_а дает

.

(2.13)

В соответствии с выражением (2.13) ток управления приводит к более крутому нарастанию анодного тока. Это связано, во-первых, с наличием в числителе выражения (2.13) составляющей α₂ I_у и, во-вторых, с большим значением коэффициента α₂ вследствие возрастания тока I_э2 на величину тока управления. Ввиду появления дополнительной составляющей α₂ I_у в токе коллекторного перехода и повышения коэффициента α₂ переключение тиристора из закрытого состояния в открытое происходит при меньшем напряжении на приборе (см. рисунок 2.30). Процесс, связанный с переходом тиристора из закрытого состояния в открытое, происходит при I_у > 0 подобно рассмотренному. Влияние тока I_у на вольт-амперную характеристику тиристора иллюстрируют участки кривых 0 - е и 0 - ж, показанные для двух значений тока управления I_у2 > I_у1.

При некотором значении тока управления участок закрытого состояния тиристора на прямой ветви вольт-амперной характеристики исчезает и характеристика приближается к прямой ветви вольт-амперной характеристики простого р-п-перехода (ветвь 0 – г - д). Наблюдается так называемое спрямление характеристики. Значение тока I_у, при котором происходит спрямление характеристики, определяет ток управления спрямления I_у.спр.

Тиристор как ключевой элемент нашел широкое применение в цепях постоянного и переменного токов. Рассмотренный режим работы, когда отпирание прибора следует после достижения на нем напряжения переключения U_пер (переключение по цепи анода), используется лишь в схемах с динисторами.

Для тиристора переключение по цепи анода представляет интерес лишь с точки зрения анализа принципа действия и вольт-амперной характеристики этого прибора. Практическое применение нашел режим отпирания по управляющему электроду, т. е. за счет подачи на управляющий электрод отпирающего импульса напряжения. Сущность этого режима отпирания тиристора заключается в следующем.

В исходном состоянии тиристор закрыт, ток управления равен нулю. Напряжение источника питания Е меньше напряжения переключения тиристора U_пер. При Е > 0 рабочая точка тиристора расположена на прямой ветви вольт-амперной характеристики 0 - в. Через нагрузку и тиристор (см. рисунок 2.29) протекает малый ток, соответствующий рабочей точке на этой ветви. В требуемый момент времени подают импульс управления Е_у, задавая необходимый для отпирания тиристора импульс тока управления, больший тока спрямления. Тиристор открывается, и рабочая точка переходит на ветвь г - д. Ток через тиристор и нагрузку находят теперь из соотношения I_а = I_н =
=(Е – U_а )/ R_н, где U_а - падение напряжения на тиристоре, определяемое рабочей точкой на ветви г - д. Задачу определения токов и напряжений удобно решать графически, построив линию, проходящую через точки с координатами (0; E / R_н) и (Е; 0) (см. рисунок 2.30). Координаты точек пересечения этой линии с вольт-амперной характеристикой определяют ток и напряжение на тиристоре в закрытом и открытом состояниях.

Тиристоры выпускаются на диапазон прямых токов от десятков миллиампер до нескольких сотен ампер и напряжения от десятков вольт до нескольких киловольт.

Тиристоры малой и средней мощности применяются в релейной и коммутационной аппаратуре. Их справочными параметрами по току служат допустимое значение среднего прямого тока или максимальный постоянный прямой ток. Параметром по напряжению этих тиристоров является максимально допустимое напряжение, которое определяется по наименьшему из значений прямого (U_пер при I_у = 0) и обратного напряжений, соответствующих началу крутого нарастания обратного тока.

Мощные тиристоры используются в системах преобразования электрической энергии. Параметры по току (I_п, I_рп, I_уд) и напряжению (U_p, U_п, U_нп) у них те же, что и для мощных диодов. Параметры по напряжению указываются по наименьшему значению прямого и обратного напряжений. Мощные тиристоры выполняют с теплоотводом. Способы теплоотвода здесь те же, что и для мощных диодов. Подобным же образом решаются задачи последовательного и параллельного соединения тиристоров.

Из других наиболее существенных параметров необходимо указать обратный ток тиристора, напряжение и ток цепи управления, соответствующие переходу тиристора из закрытого состояния в открытое. Динамические параметры тиристора характеризуют время перехода тиристора из закрытого состояния в открытое (время включения t_вк) и время восстановления запирающих свойств (время выключения t_в).

Восстановление запирающих свойств осуществляется за счет приложения к тиристору обратного напряжения. Величина t_в определяет время, в течение которого происходит полное рассасывание носителей заряда в базовых слоях ранее проводившего тиристора при приложении обратного напряжения, по окончании которого к прибору может быть вновь приложено напряжение в прямом направлении без опасения его самопроизвольного отпирания. Процесс восстановления запирающих свойств происходит за счет двух факторов: протекания обратного тока через тиристор, при котором отводится основная часть носителей заряда, накопленных в базах прибора, и рекомбинации оставшихся носителей заряда. Величины t_вк и t_в определяют частотные свойства тиристора и зависят от его типа. Время t_вк составляет от 1…5 до
30 мкс, а время t_в - от 5…12 до 250 мкс.

Фототиристор (см. рисунок 2.27, г) по принципу действия подобен рассмотренному. Отличие заключается в том, что увеличение числа носителей заряда в тиристоре, необходимое для его отпирания, производится не за счет тока управления, а за счет освещения прибора (р₂-слоя на рисунке 2.29). С этой целью в корпусе прибора предусматривается специальное окно.

Фототиристоры нашли широкое применение в высоковольтных установках преобразования электрической энергии, поскольку они позволяют надежно решать задачу развязки по напряжению выходной цепи прибора и системы управления.

Вольт-амперные характеристики двухоперационного тиристора (см. рисунок 2.27, в) такие же, как и у однооперационного. В двухоперационных тиристорах запирание осуществляется не изменением полярности напряжения анод - катод, а пропусканием через управляющий электрод импульса тока, противоположного по направлению току отпирания. При этом используется свойство внутренней положительной обратной связи, действующей в приборе. При пропускании встречного тока в цепи управляющего электрода ток базы транзистора Т₂ (см. рисунок 2.29) уменьшается, что приводит к уменьшению всех составляющих токов тиристора, а следовательно, к снижению анодного тока и запиранию прибора. Двухоперационные тиристоры выпускаются на токи до 10 А.

В симметричных тиристорах (симисторах, см. рисунок 2.27, д) с помощью комбинации р- и n-слоев создают полупроводниковую структуру (рисунок 2.32, а), в которой как при одной, так и при другой полярности напряжения выполняются условия, соответствующие прямой ветви вольт-амперной характеристики обычного тиристора. Прибор способен проводить ток в обоих направлениях; его вольт-амперные характеристики приведены на рисунке 2.32, б.

Верхняя часть структуры симистора (рисунок 2.32, а) состоит из слоев n₁, p₁ и п₄. Ее крайние слои металлизации электрически объединены и связаны с внешним выводом А прибора. В нижней части структуры слой металлизации, имеющий контакт с внешним выводом В прибора, связывает электрически слои р₂ и п₃. Вывод от центральной части р₁-слоя является управляющим электродом тиристора. Слои с противоположным типом электропроводности образуют в структуре пять р-п-переходов.

Предположим, что тиристор закрыт и к внешнему выводу А относительно вывода В подано напряжение положительной полярности (на рисунке 2.32, а показана без скобок). При этом переходы П₃, П₄ смещаются в прямом направлении, а переход П₃ - в обратном. Все внешнее напряжение будет приложено к переходу П₃.

Рисунок 2.32 - Полупроводниковая структура симистора (а) и его вольт-амперная характеристика (б).

При подаче на управляющий электрод импульса напряжения положительной полярности относительно вывода А переход П₅ смещается в прямом направлении и инжектирует электроны из п₄-слоя в р₁-слой, которые под действием диффузии проходят р₁-слой в направлении перехода П₂. Прямое напряжение на переходе П₂ будет ускоряющим для электронов, которые входят в n₂-слой. Вошедшие электроны снижают потенциал п₂-слоя относительно p₁-слоя, прямое напряжение на переходе П₂ увеличивается, что приводит к инжекции дырок из р₁-слоя в п₂-слой. Пройдя под действием диффузии п₂- слой, дырки попадают в ускоряющее поле перехода П₃ и перебрасываются в р₂-слой. Диффузионное движение дырок в р₂-слое в направлении внешнего вывода В возможно лишь по пути огибания перехода П₄ (на рисунке 2.32, а показано стрелкой), так как поле перехода П₄ для дырок будет тормозящим.

В результате протекания дырочного тока через р₂-слой в нем создается падение напряжения, которое увеличивает прямое смещение перехода П₄. В свою очередь, увеличиваются инжекция электронов из п₃-слоя в р₂-слой и последующий их переход в р₂-слой во встречном направлении. Появление дополнительного числа электронов в п₂-слое вызывает еще больший поток дырок в направлении внешнего вывода В.

В приборе действует внутренняя положительная обратная связь, приводящая к лавинообразному процессу нарастания тока через прибор и отпиранию правой половины тиристорной структуры p₁-n₂-p₂-n₃. Таким образом, в результате подачи импульса управления осуществляется переход тиристора с участка закрытого состояния 0 - а на участок открытого состояния б - в вольт-амперной характеристики (см. рисунок 2.32, б).

При подведении к тиристору напряжения противоположной полярности (на рисунке 2.32, а в скобках) поведение прибора определяется структурой левой его части. п₁ - р₁ - п₂ - р₂, соответствующей обычному тиристору с внешним напряжением, приложенным в прямом направлении.

Симисторы выпускают на токи до 160 А и напряжение до 1200 В.