Типы транзисторов

Деление транзисторов на типы связано с их назначением, а также применяемой технологией создания трехслойной транзисторной структуры. Наиболее характерными признаками деления транзисторов по назначению являются частота усиливаемого сигнала (низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ-транзисторы) и допустимая мощность рассеяния в коллекторном переходе Р_к. Показателем частотных свойств транзистора, как отмечалось, является частота f_α.

Допустимая мощность рассеяния Р_к определяется условиями отвода теплоты от коллектора. Мощность Р_к имеет прямую связь с энергетическими показателями выходной (нагрузочной) цепи транзистора. По допустимой мощности в коллекторном переходе различают транзисторы малой мощности (Р_к < 0,3 Вт), средней мощности (0,3 Вт < Р_к < 1,5 Вт) и большой мощности (Р_к > 1,5 Вт). При энергетическом расчете выходной цепи транзистора рассчитывают мощность Р_к и выбирают тип транзистора по мощности. При использовании транзисторов средней и большой мощности следует увеличивать теплоотвод для обеспечения допустимой температуры полупроводниковой структуры. С этой целью предусматривают поглощение теплоты массивным корпусом аппаратуры, на котором крепится транзистор, или, как и в мощных диодах, применяют радиатор.

Повышение мощности транзисторов связано с увеличением их нагрузочной способности по току I_э и напряжению U_кб (или U_кэ для схемы ОЭ). Задача увеличения тока решается увеличением рабочей поверхности эмиттера и коллектора. Повышение нагрузочной способности по напряжению достигается путем перевода возможного режима пробоя коллекторного перехода в область более высоких напряжений. В настоящее время выпускаются транзисторы общепромышленного назначения на ток I_э = 15…50 А и напряжение U_кб = 150…800 В.

По технологии изготовления различают сплавные, диффузионные, диффузионно-сплавные, конверсионные, эпитаксиальные и планарные транзисторы.

Униполярные (полевые) транзисторы