Изоляция диэлектриком.

Она позволяет создать ИМС с лучшими характеристиками: увеличение напряжение пробоя, меньше токи утечки, на два порядка уменьшаются паразитные емкости, что увеличит быстродействие цифровых и аналоговых ИМС.

Изоляция обеспечивается с помощью окисла нитрида, или карбида кремния.

 

 

В эпитаксиальной структуре 1 формируются элементы схемы, и после операции фотолитографии и травления образуются мезообласти 2. Для выполнения дальнейших операций удаляют фоторезист SiO₂ и приклеивают вспомогательную пластину 3 со стороны мезоструктуры, а противоположную сторону удаляют шлифовкой.

Полученную структуры спрессовывают диэлектриком и удаляют вспомогательную пластину.