Полевые МДП-транзисторы с индуцированным каналом n-типа

На рис.8.25 изображено условное обозначение полевого транзистора и схема его подключения к внешним источникам питания. МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа имеет четыре электрода затвор (З), сток (С), исток (И) и подложку (П). Полупроводник состоит из пластины дырочной проводимости p (подложки П), в которую встроены две пластины с электронной проводимостью n, соединённых с электродами (С) и (И).

 

Рис.8.25. Условное обозначение полевого МДП-транзисторас индуцированным каналом n-типа и схема его подключения к внешним источникам питания

 

При отключенном источнике Ези и, включенном в прямом направлении относительно подложки (П) источнике Еси, между пластинами n проводимости образуется n-канал. Транзистор находится в полуоткрытом состоянии. Между стоком и истоком можно измерить сопротивление канала Rк, по которому проходит стоковый ток Iс.

При переключении питания Ези с (+) на (-), n-канал между стоком (С) и истоком (И) обогощается или обедняется электронами n. Стоковый ток Iс при этом будет либо увеличиваться до полного открытия транзистора, либо уменьшаться до полного закрытия транзистора.

На рис.8.26 приведены статические характеристики транзистора.

 

Рис.8.26. Совмещение выходных характеристик полевого МДП-транзисторас индуцированным каналом n-типа Iс = f(Uси) при Uзи = Const с входной характеристикой транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = Const.